通过堆叠半导体层形成的垂直二极管，包括：（１）下部电极，其表面在含有Ｎ型或者Ｐ型导电类型的元素的气体中进行等离子体处理，以及（２）位于下部电极上的非掺杂的半导体层。Ｐ型或者Ｎ型半导体区域形成在非掺杂的半导体层与下部电极的等离子体处理表面...

本发明的一种电子部件或显示装置可以通过利用以下图案成形方法提供。在用第一抗蚀图案作为第一掩模的第一蚀刻所处理的基板上，第二抗蚀图案转印在第一抗蚀图案上，以便与第一抗蚀图案部分重叠，并从第一抗蚀图案部分延伸。然后，通过利用第一抗蚀图案和第...

本发明涉及液晶显示装置及其驱动方法。根据本发明一个典型方面的液晶显示装置包括具有一基板和在该基板上以矩阵形式布置的显示像素的薄膜晶体管（ＴＦＴ）基板、与ＴＦＴ基板相对的对向基板，所述像素电极和所述第一表面公共电极被布置，从而可给液晶施加...

本发明涉及液晶显示装置及其驱动方法。本发明的液晶显示装置包括具有基板和在该基板上以矩阵形式布置的显示像素的ＴＦＴ基板、与ＴＦＴ基板相对并与其叠加的对向基板、和封闭在ＴＦＴ基板与对向基板之间的液晶，像素电极和第一公共电极被布置，从而可给液...

将有机薄膜被覆在绝缘基片上，并使有机溶剂渗透进入该有机薄膜中，引起有机薄膜溶解，以平坦化有机薄膜。之后，在１００－１８０℃的温度下对该平坦化有机薄膜进行热处理，以蒸发包含在有机薄膜中的有机溶剂。在相对低的温度，即１００－１８０℃下蒸发包...

在用来通过覆盖着薄膜晶体管（ＴＦＴ）的保护膜上形成使ＴＦＴ的源电极和象素电极之间彼此连接的接触通孔的步骤中，随后形成的接触通孔的位置被设计成与保护膜上形成开口的外涂层的开口位置间隔不少于２．０微米。这种构造迫使酚醛清漆型的光敏抗蚀涂层的...

一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝...

在图形转移到光致抗蚀掩模层（３）下的层（２）之后，剥离有机化合物的光致抗蚀掩模（３），其中光致抗蚀掩模（３）首先暴露于有机溶剂的蒸汽中以通过减薄厚度，之后，光致抗蚀掩模（４）在氧等离子中灰化，由此依靠厚度的减薄在短时间段内完成了干灰化。

在横向电场液晶显示器中，通过使用与其他电极和线形成层不同的层，形成产生横向电场的主要电极部分。在这样的情况下，主要部分的厚度是每个其他电极和线厚度的１／２０到１／３。因此，校准层的基膜的平滑度显著提高，同时在基膜上面，校准层材料在覆盖和...

本发明提供了一种沟道蚀刻薄膜晶体管，沟道蚀刻薄膜晶体管具有：源极，其包括源极主部和源极引线部；以及漏极，其包括漏极主部和漏极引线部。源极引线部和漏极引线部中的至少一个具有侧接触部，该侧接触部直接与有源层的侧壁接触。侧接触部的平均宽度比源...

一种形成抗蚀图的方法，在抗蚀图的再流动过程中，该方法可以有效地控制抗蚀图修正的方式／形式和修正量，即使在再流动过程中抗蚀图的变形量增加，仍然可以以理想的精度实现理想的抗蚀图。第二层形成在第一层之上，并且第一抗蚀图形成在第二层之上。利用第...

一种液晶显示设备，具有第一基板、第二基板和液晶层。其中第一基板具有图形符号像素电极，用于显示由固定图案代表的图形符号；第二基板具有与图形符号像素电极相对的公共电极；液晶层夹在第一基板和第二基板之间。图形符号像素电极形成于层间绝缘膜之上，...

一种由具有薄膜部分和厚膜部分的多晶硅膜形成的薄膜晶体管，薄膜部分最少被用作沟道部分。由具有完全熔化薄膜部分而不完全熔化厚膜部分的能量密度的激光退火形成多晶硅膜。因为从薄膜部分和厚膜部分之间的边界生长的大粗晶粒形成沟道部分，可能的是使用传...

薄膜晶体管制造方法包含在基片上形成的半导体膜上形成第１绝缘膜的第１绝缘膜形成工序、使上述半导体膜和上述第１绝缘膜成为岛状图案形成岛的岛形成工序、在上述岛上形成第２绝缘膜的第２绝缘膜形成工序、和在上述的第２绝缘膜上形成栅极的栅极形成工序，...

一种有源矩阵基板由一个矩阵阵列的ＴＦＴ组成。一种双层膜包括下层的铝钕（Ａｌ－Ｎｄ）合金和上层的高熔点金属。该双层膜形成用于连接ＴＦＴ的第一互连线。一种三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述铝钕Ａｌ－Ｎｄ合金和上层的高熔点金属。该三...

一种制造薄膜半导体器件的方法，包括： 在基片的表面上形成位于下面的硅层的过程； 使用具有半色区域的光掩模，在所述位于下面的硅层的表面上，形成多个抗蚀剂区域的过程，其中每个区域作为抗蚀图具有不同的膜厚度，而且每个区域对应于多个...

一种有源矩阵基片，包括由树脂构成的基片（１）和在基片（１）上形成的多晶硅薄膜二极管（１１）。多晶硅薄膜二极管（１１）可以是在中心具有掺杂区的横向二极管。作为选择，多晶硅薄膜二极管（１１）可以由并行电连接的并在对置方向设置的两个横向二极管...

本发明公开了一种液晶显示器和制造该液晶显示器的方法，能够在不引起孔径比下降的情况下甚至只在显示屏上显示相同极性的象素时禁止强闪烁的发生。在此种液晶显示器中，分别经第一和第二薄膜晶体管向第一和第二象素电极施加不同极性的象素电压的第一和第二...

一种制造薄膜晶体管的方法，包括步骤： 将非单晶的半导体膜沉淀在绝缘衬底上； 将至少一种掺杂剂引入到整个非单晶的半导体膜； 使用激光束照射所述的非单晶的半导体膜，以便将所述非单晶的半导体膜的非单晶材料转化为单晶材料，从而...

一种形成半导体薄膜的方法，包括： 照射第一激光束到半导体薄膜上，以形成第一照射区域；以及 以不和第一照射区域重叠的方式照射第二激光束到薄膜上，从而形成第二照射区域和未照射区域； 其中第二激光束以和第一激光束同轴的方式照...