制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为１００℃－...

一种用来制造液晶显示器的方法，该方法提供宽视角、缩短制造过程和提供高可靠性。该方法包括形成栅极金属层、栅极绝缘层和ａ－硅层并且通过光刻制图形成岛的过程、形成层间绝缘膜和漏极金属层并且通过光刻制图形成漏极线的过程、形成有机的绝缘膜并且借助...

本发明提供了一种有效抑制由放置在ＴＦＴ上方的间隔物带电引发的漏电流的有源矩阵寻址ＬＣＤ器件。器件包括：（ａ）具有开关元件的第一基板；（ｂ）与第一基板耦接的第二基板，耦接方式是在第一和第二基板之间形成一个间隙；散布在间隙中的间隔物；（ｃ）...

一种用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法，它包括：　　　　以协同方式组合使用多种类型的湿蚀刻方法对顺序淀积在衬底上的包含薄膜特性各不相同的至少第一和第二膜的叠层膜进行湿蚀刻处理的步骤；　　　　其中，所述多种类型的湿蚀刻方法包括：　　　　第一湿蚀...

一种制造包含互连的半导体器件的方法，所述方法包括：　　　　形成金属膜叠层，以覆盖衬底；所述膜叠层包括：　　　　在所述衬底上的下层难熔金属膜，　　　　放在所述下层难熔金属膜的上表面上且由包含金属的第一化合物组成的下层保护层，　　　　位于所...

一种在基板上构图形成半导体层以及高融点金属膜和低阻金属膜的层叠金属膜的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，　　　　该制造方法包括：在上述层叠金属膜上形成光致抗蚀剂图形的工序；将上述光致抗蚀剂作为掩模，对上述层叠金属膜进行侧面蚀刻，深入到...

一种半透型液晶显示装置，包括：　　　　第一衬底，包括沿着第一方向相互平行设置的多个信号电极；　　　　第二衬底，包括沿着与所述第一方向垂直的第二方向相互平行设置的多个扫描电极，和多个象素区，每个象素区都以一对一的对应关系设置在每个所述信号...

在本发明提供的ＴＦＴ（薄膜晶体管）中，供氢层能够形成在使氢的扩散距离缩短且不增加光刻法的位置处。在ＴＦＴ中，用于使氢扩散到存在于多晶硅薄膜和门绝缘膜界面处的悬空键中的供氢层形成在门绝缘膜和门电极之间的位置处。根据该结构，在氢化过程中，氢...

一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝...

一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝...

一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝...

一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝...

一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝...

通过在源极和漏极上的拐角上形成斜面，ＬＣＤ设备中的非晶硅ＴＦＴ（薄膜晶体管）在ＴＦＴ的沟道的两个边缘部分上与沟道的中心部分上相比，具有较大的沟道长度。在两个边缘部分上的较大沟道长度减少了由入射到沟道上的转向光线所导致的泄漏电流。

提供一种可适用于半曝光工艺，药液溶解回流工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构（１２）、用于对基板实施药液处理的药液处理单元（２１）、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元（２２）。或整体性配置进行基...

提供一种可适合进行半曝光工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构（１２）、用于对基板实施药液处理的药液处理单元（２１）、用于对基板实施显影处理的显影处理单元（２０）。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构（１...

本发明提供衬底处理方法，该方法包括对衬底３１上形成的有机膜图案（３２）进行处理的步骤，所述处理步骤依次包括：去除步骤，去除有机膜图案（３２ｂ）上形成的变质层（３２ａ）；溶解变形处理，将有机膜图案（３２）溶解变形，其中去除步骤的至少一部分...

对于薄膜晶体管电路器件来说需要一种薄膜晶体管电路器件及其制造方法，其中该器件包括的布线结构是在下层中为铝合金和在上层中为钼合金，其中钼合金在空气中的腐蚀不易进行。薄膜晶体管电路器件暴露出被绝缘膜所覆盖的布线部分和在所暴露的表面上包含有由...

本发明提供处理衬底上形成的有机膜图案的方法，其包括：第一步骤（步骤Ｓ１１），去除有机膜图案表面上形成的变质层或沉积层；和第二步骤（步骤Ｓ１２和Ｓ１３），将有机膜图案的至少一部分缩小，或去除所述有机膜图案的一部分。

本文提出了一种有源矩阵液晶显示单元，其中在漏极布线和栅极布线相交处的布线损坏可以得到有效防止。沿着漏极布线延伸并且深度等于或大于漏极布线宽度的一或多个凹进在栅极布线的位于栅极布线与漏极布线相交处附近区域中的至少一侧处形成。进而，栅极布线...