本发明公开了一种带隙可调结构，包括依次设置的半导体衬底和半导体功能层，其中半导体功能层具有面内周期结构，面内周期结构由两种不同组分或不同成分的结构单元层组成，结构单元层的成分为IIIA族和VA族元素组成的化合物。本发明还公开了基于此结构...

本发明公开了一种超快光电导结构，包含半导体衬底和超晶格光电导层，其中超晶格光电导层的周期结构包括光吸收层和载流子扩散阻挡层。本发明还公开了一种光电导天线器件，由超快光电导结构以及天线结构组成。本发明通过外延方式精确调控光电导结构的组分、...

本发明提供了一种高阻值半导体结构及其制备方法。该结构包括：自下而上依次为衬底、高阻值缓冲层、拓扑材料层，高阻值缓冲层为III

本发明公开了一种稀土掺杂III

本发明提供了一种硅基带间级联激光器结构、激光器及其制备方法。该硅基带间级联激光器结构包括：自下而上依次为硅衬底、多层缓冲层以及带间级联超晶格层，其中，多层缓冲层是由硅锗半导体层和III

本发明提供了一种集成激光光源和探测结构及其制备方法，包括带间级联激光器和光电探测器，带间级联激光器与光电探测器位于同一衬底上，且具有相同的外延结构。本发明还提供这种集成激光光源和探测结构的制备方法，用于将带间级联激光器与光电探测器集成为...

本实用新型公开了一种基于半金属/半导体异质结构的肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域，包括衬底、电极接触层、底部电极、第一半导体层、δ掺杂层、第二半导体层、第三半导体层、半金属层、保护层和顶部电极，第一半导体层、δ掺杂层、第二半导体层、...

本发明提供了一种半导体/金属/半导体量子阱结构，其特征在于，包括第一半导体层、金属Al薄膜层和第二半导体层，其中金属Al薄膜层夹杂在第一半导体层和第二半导体层之间，金属Al薄膜层为取向唯一的单晶且没有孪晶。本发明还提供了一种半导体/金属...

本发明公开了一种基于InP基带隙可调的结构，包括依次层叠设置的上电极层、超晶格功能层、下电极层和InP衬底，其中超晶格功能层作为光电转换器件光的吸收或发射区，超晶格功能层为晶格常数大于和小于InP衬底的晶格常数的半导体层交替堆叠生长组成...