本发明涉及光固化涂料技术领域，具体的，涉及一种Cu‑MoTi合金蚀刻液。按重量百分比计，组分包括：氧化剂15‑20%、第一有机酸1.8‑2.5%、无机酸或无机酸盐0.5‑1.5%、第二有机酸0.5‑2%、氟系化合物0.01‑0.2%、脲...

本发明涉及一种用于Cu‑MoTi合金层的双剂型蚀刻液。包括主剂和辅剂，按重量百分比计，所述主剂包括双氧水6‑20%、第一有机酸10‑25%、第一有机碱5‑15%、第一锥角稳定剂2‑5%、第一蚀刻速度调节剂0.1‑1%、表面活性剂1‑5%...

本发明涉及蚀刻液技术领域，具体的，涉及一种铜金属蚀刻液组合物。包括主剂和辅剂，按重量百分比计，所述主剂包括过氧化氢5‑10%、第一氟源0.1‑0.3%、第一无机酸1‑5%、碱1‑5%、第一金属缓蚀剂0.01‑0.8%，去离子水补足余量；...

本发明涉及一种铜金属蚀刻液组合物。包括主剂和辅剂，按重量百分比计，所述主剂的组分包括：过氧化氢8‑12%、第一氟源0.02‑0.2%、第一有机酸3‑8%、第一无机酸0.1‑1%、双氧水稳定剂0.5‑4%、第一金属缓蚀剂0.01‑0.5%...

本发明涉及蚀刻液技术领域，具体的，涉及一种Cu‑MTD合金蚀刻液组合物及其应用。所述组合物包括主剂和辅剂，按重量百分比计，所述主剂包括双氧水12‑20％、第一有机酸6‑15％、第一pH调节剂0.001‑0.08％、有机碱2‑8％，去离子...

本发明提供了一种用于IGZO膜层4mask工艺的刻蚀液组合物及其应用，所述刻蚀液组合物包括主剂和辅剂；所述主剂包括过氧化氢、无机酸、磺酸类化合物、氨基酸、F离子型化合物、有机碱、稳定剂、金属缓蚀剂；所述辅剂以重量份数计包括无机酸、磺酸类...

本发明提供了一种兼容Cu/Mo及Cu/MTD的蚀刻液及其应用，所述蚀刻液包括主剂和辅剂；所述主剂以重量份数计包括氧化剂5‑22份、有机酸1‑15份、无机酸0.01‑5份、有机碱0.5‑15份、稳定剂0.01‑5份、金属抑制剂0.01‑1...