本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种点光源LED芯片及其制作方法和应用。该芯片包括从下至上依次堆叠设置的背面电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N型DBR层、N型半导体层、MQW发光层、P型半导体层、氧化限制层、过渡层、GaP电流扩展...

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种砷化镓三结太阳电池的外延生长方法，包括在一GaAs衬底上依次外延生长腐蚀截止层、第一接触层、顶电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、应变缓冲层、底电池、第二接触层；应变缓冲层采用组分阶变的方式生...

本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。上述垂直腔面发射激光器，包括：GaAs衬底，以及在所述GaAs衬底上依次设置的GaAs缓冲层、N型DBR层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层、P型DBR层、P型...

本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法。该芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表...

本发明涉及太阳电池技术领域，具体是涉及一种具有全方位金属反射镜的砷化镓太阳电池及其制备方法，该砷化镓太阳电池自下而上依次是反射金属镜

本发明提供了一种表面活化液及其键合应用，属于表面活化液及键合技术领域。本发明提供了一种用于砷化镓衬底键合蓝宝石衬底的表面活化液，其配方为：KOH、甘油、去离子水；其中，所述KOH的浓度为3.2

本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N

本发明涉及半导体器件加工领域，尤其涉及一种带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片及其制备方法。该带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、布拉格反射层、n

本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法，包括：在GaAs衬底上，生长出具有氧化层结构的外延片；依次蒸镀镜面层和第一键合层；在Si衬底上蒸镀第二键合层；将外延片和Si衬底键合在一起，并去...

本发明涉及一种砷化镓太阳电池芯片及其制备方法，该电池芯片包括：Ge衬底；于Ge衬底上外延生长外延层，外延层由下至上为底电池、GaAs缓冲层、中底隧穿结、第一DBR层、中电池、中顶隧穿结、顶电池、第二DBR层、欧姆接触层；外延层上面依次为...

本发明涉及LED技术领域，具体为一种具有本体反接二极管AlGaInP LED及其制备方法，该LED包括本体LED和微型二极管，本体LED包括蓝宝石基板、GaP层、LED发光台面、LED P电极、LED N电极、钝化层、P焊盘电极和N焊盘...

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法，包括以下具体步骤：生长LED外延材料；SiO2掩膜与GaP腐蚀；GaP窗口层表面处理；ITO薄膜沉积；P电极制备；N电极制备；切割，得到所需芯片。本发明制...

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种高亮度正极性黄绿光LED外延片及其制备方法，该LED外延片从GaAs衬底开始由下往上依次生长GaAs缓冲层、DBR、N型限制层、N面空间层、多量子阱有源层、P面空间层、P型限制层、过渡层、窗口层、微...

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有渐变结构的正极性LED及其制备方法，LED的外延结构从下往上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型DBR反射层、N型AlInP限制层、N型AlGaInP Space层、有源层、P型A...

本发明涉及一种新型砷化镓太阳电池及制作方法，属于太阳电池技术领域。所述一种新型砷化镓太阳电池衬底层、于所述衬底层依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、第一DBR层、中电池、第二隧穿结、第二DBR层、顶电池和盖帽层；通过在中电...

本发明涉及砷化镓太阳电池技术领域，具体涉及一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法，该电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、第一隧穿结、DBR、中电池、第二隧穿结、顶电池和盖帽层；第一隧穿结和第二隧穿结结构相同，均采用渐变隧...