一种级联电路结构具有安装在衬底(例如，陶瓷衬底)上的低压MOSFET和耗尽型功率器件，该级联电路结构于是可以设于半导体封装中。这使得能够降低电感，且如果需要则能够使用三端子封装。

半导体装置(200)包括：管芯源极端(222)、管芯漏极端(224)和管芯栅极端(226)；半导体管芯(202)；提供于该半导体管芯上的绝缘栅极耗尽型晶体管(203)，该绝缘栅极耗尽型晶体管包括耗尽源极端(204)、耗尽漏极端(206)...

本发明提供一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该装置包括：半导体衬底，该半导体衬底具有第一导电类型；掺杂的硅层，该掺杂的硅层位于该衬底上；沟槽，该沟槽延伸到该硅层中；以及栅极电极和栅极电介质，该栅极电极和栅极电介质位于该沟槽中。该...

本发明描述了一种制造包括芯片级封装的多个半导体器件的方法。该方法包括提供具有主表面和背面的半导体晶片。该方法还包括在主表面上形成多个接触。该方法还包括在衬底的主表面中形成多个沟槽。该方法还包括在该背面和在该主表面中的沟槽之间在晶片中形成...

一种电子元件，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，以及在第一表面与第二表面之间的相邻接的侧面；电子元件在第一表面上包括焊盘，焊盘自第一表面上延伸至相邻接的侧面，并在侧面上相邻接。本发明还提供一种形成电子元件的方法。