用于从等离子束中过滤大粒子的过滤器，该过滤器包括用于运送等离子束的弯曲管道，弯曲管道包括中间部分，中间部分的一端连接至具有设置于入口平面上的纵向轴线的入口部分并且另一相对端连接至具有设置于出口平面上的纵向轴线的出口部分，入口部分允许包含...

切削工具，其包括本体、在所述本体的至少一部分上的切削刃以及在所述切削刃上提供的、基本上不含大粒子的等离子体沉积的碳涂层。

将涂层沉积于基体上的方法，所述方法包括以下步骤：（ａ）通过进行阴极真空电弧（ＣＶＡ）沉积步骤将材料沉积于基体上；以及（ｂ）通过进行除了ＣＶＡ沉积以外的物理气相沉积（ＰＶＤ）步骤将材料沉积于基体上，其中步骤（ａ）中沉积的材料的厚度大于步骤...

将涂层沉积于基体上的方法，所述方法包括以下步骤：（ａ）通过进行阴极真空电弧（ＣＶＡ）沉积步骤将材料沉积于基体上；以及（ｂ）通过进行化学气相沉积（ＣＶＤ）步骤和除了ＣＶＡ沉积以外的物理气相沉积（ＰＶＤ）步骤中的至少一种将材料沉积于基体上，...

使用电弧沉积方法沉积镀层，该方法在所述基板上使用一个大的一１，５００Ｖ或更低的负偏压，其在沉积过程中可变，导致所述镀层中的压力减小。

一种刀头，包括：具有纵轴的圆柱体。在能够围绕所述纵轴旋转所述圆柱体的工具啮合的所述体的一个末端上提供工具啮合端。在与所述工具啮合端相对的所述体末端上提供的工作端。工作端上提供的等离子体沉积金属碳化物涂层。在使用中，有涂层的工件末端用于在...

本发明公开了一种从基体如ＩＣ元件去除材料的方法和装置。该方法包括：给抽真空的腔体中的电极提供电源，并在腔体中生成等离子体，然后使基体表面与等离子体的离子、原子和自由基中的至少一种进行接触。供给电极的电源优选为ＤＣ电源，其是变量，且该电源...

本发明公开了一种形成具有预定电阻率的基膜的方法和装置。该方法包括以下步骤，将要被涂覆的基体置于一个真空腔体中，在该腔体中产生等离子体，将等离子体的离子沉积到基体上从而形成一ｔａ－Ｃ的基膜。当ｔａ－Ｃ基膜具有预定电阻率时停止涂覆操作。该预...

使用电弧沉积方法沉积镀层，该方法在所述基板上使用一个大的－１，５００Ｖ或更低的负偏压，其在沉积过程中可变，导致所述镀层中的压力减小。

一种物理蒸气镀膜装置，包括：一个靶，设置成与抽真空的腔室内部连通。装置适合与比如ＤＣ电源这样的电源进行电连接，从而在靶的表面上形成一个发射表面。腔室的侧壁通常作为阳极。提供磁场的部件，比如磁体，设置在靶的附近，以在靶的表面提供磁场，从而...

一种形成金属镀层的方法，包含步骤：（ａ）在目标金属上产生一个电弧，以在一个处于真空环境或是惰性环境下的腔体内，制造金属离子；（ｂ）将金属离子镀在一个物质的表面，以在其上形成一个金属镀层；以及（ｃ）控制腔体中的气体数量，以在该金属镀层上形...