本公开涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：层叠件，设置在由单元区域和连接区域限定的衬底上方；沟道结构，穿过单元区域中的层叠件；以及狭缝，限定在层叠件中。该层叠件包括：第一介电层，在单元区域和连接区域中分隔地堆叠；电极层，在...