弥尔光半导体北京有限公司专利技术

弥尔光半导体北京有限公司共有2项专利

  • 本公开提供了一种光电二极管及其制备方法、以及探测芯片,一实施例的光电二极管包括:衬底,衬底的材料为SiC;通过键合方式与衬底结合的外延层;形成在外延层远离衬底一侧的电极;与电极绑定的散热基板。该实施方式的光电二极管通过提供与外延层键合的...
  • 本申请设计了一种光电探测器芯片及其加工方法。该光电探测器芯片包括:依次叠层设置的电子型半导体、耗尽层、吸收层、空穴型半导体以及电极;其中,电极,包括:依次设置在空穴型半导体上的第一金属层、第二金属层以及第三金属层;第一金属层的反射性大于...
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