III‑N双栅器件和制造III‑N双栅器件的方法。示例半导体器件包括III‑N背势垒、在III‑N背势垒之上的III‑N沟道层、以及在III‑N沟道层中的二维电子气（2DEG）沟道。该半导体器件包括源极触点和漏极触点，并且在源极触点和漏...

N极性HEMT结构和形成HEMT结构的方法。示例性半导体装置包括III‑N材料结构，其包括：III‑N背势垒层；位于III‑N背势垒层的N面上方的III‑N沟道层；以及位于III‑N沟道层的N面上方的n+III‑N蚀刻停止层。该半导体装...

无线前端可以包括多个电路，包括功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)和RF开关。为了减小前端的尺寸并改善其性能，前端的各种电路可以包括N极性III‑N晶体管，这些晶体管全都由相同的外延材料结构形成并单片集成到单个芯片上。由于不同电路...

一种N极性III‑N高电子迁移率晶体管器件可包括在III‑N背势垒的N面上的III‑N沟道层，其中，沟道层和背势垒之间的组成差异使得在III‑N沟道层中邻近于III‑N沟道层和背势垒之间的界面诱导2DEG沟道。该器件可进一步包括在III...

为了降低成本以及为了有效地消散某些RF电路中的热量，电路的半导体器件可以包括一个或多个有源器件，例如由第一半导体材料系统形成的晶体管、二极管和/或变容二极管，其被集成到(例如，接合到)包括其他电路部件的由第二半导体材料系统形成的基底衬底...