提供了一种生产含有氮化硅(Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;)的微结构的方法，所述方法包括使用氟化氢(HF)蒸汽刻蚀二氧化硅(SiO<subgt;2</subgt;...

提供了一种制造微结构的方法，所述方法包括采用氟化氢(HF)蒸气蚀刻二氧化硅(SiO2)牺牲层，然后去除在HF蒸气蚀刻所述二氧化硅层时形成的残留层。所述残留层可以包含硅、铵盐或碳，并且公开了用于去除这些层的多种技术。这些技术可以同时应用于...

公开了一种检测结构样品中的缺陷的方法，该结构样品包括薄膜层和牺牲层。该方法包括使薄膜层暴露于气相蚀刻剂，获得薄膜层的图像并分析该图像。气相蚀刻剂通过穿过缺陷并在牺牲层内蚀刻出空腔来增强薄膜层中存在的任何缺陷。该空腔使薄膜层凹陷，从而在缺...

本发明描述了一种适合于使涂层沉积在装置上的沉积方法。该方法特别适合于使自组装单层（SAM）涂层沉积在微机电结构（MEMS）上。该方法采用载气，以在装置被定位在其中的加工室中形成沉积蒸气，其中沉积蒸气包括控制量的蒸气前体材料和蒸气反应物材...

通过蚀刻剂气体即氟化氢（HF）蒸汽的使用，以对MEMS内的其它部分且尤其是氮化硅（Si3N4）部分的较高选择性，在微结构比如微机电结构（MEMS）中进行牺牲二氧化硅（SiO2）部分的蚀刻。这是通过适合用于增加HF蒸汽内的二氟化物反应物质...

用于蚀刻微结构及类似物的方法和装置，当使用二氟化氙(XeF2)蚀刻硅时，所述方法和装置对周围材料提供改进的选择性。通过向处理室添加氢气大大增强了蚀刻选择性。