本发明涉及一种晶片，该晶片由具有择优晶体取向的多晶SiC制成，该晶片的特征在于在其面的每个面均满足：(i)其织构系数C422小于40％，且(ii)其织构系数C220+C200+C400大于50％，优选大于80％。该晶片可以通过CVD工艺...

本发明涉及一种多晶SiC板的制造方法，该多晶SiC板通过化学气相沉积法在石墨表面掺杂，其中将混合气体引入加热腔室，以形成气相，该气相包括：‑至少一种硅和/或碳的气态前驱体；‑至少一种包含至少一个氮原子的掺杂气体；以及‑载气，该混合气体在...