用于形成本文所公开的金属氧化物膜的水不敏感性方法可被用于形成涂覆的基底。该方法可与潮湿基底一起使用。可将湿气敏感性膜沉积在金属氧化物膜上。在金属氧化物膜上。在金属氧化物膜上。

本发明涉及金属氧化物阻挡膜，并且具体地涉及用于高速沉积这种阻挡膜的方法。公开了能够产生水蒸汽透过率(WVTR)低于0.1g/(m

在基底上形成薄膜的系统使用等离子体来激活与反应空间连接的等离子体发生器内的至少一种气态前驱体。等离子体发生器有效的利用至少一对等离子体电极由至少一部分前驱体气体来产生等离子体，等离子体电极具有展示如下性质特点的非原生的导电吸附层：利用等...

用于在柔性基片(102)上沉积薄膜的系统(100)，包括由分隔带(110)分隔开的多个处理区(104，106，108)，等离子体发生器(130)用于在通道近侧产生等离子体区(132)，基片沿通道移动；当系统运行时，用于引导基片在处理区之...

本发明公开了一种形成混合金属-硅-氧化物阻隔薄膜(200)的方法(600)。例如，一种形成折射率为1.8或更小的铝-硅-氧化物混合物的方法，包括使基板(210)依次接触非羟基化含硅前体、活性氧物质和含金属前体，直至在基板上形成厚度为50...