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罗维鸿专利技术
罗维鸿共有70项专利
发光二极管之正硅酸盐绿色荧光粉及其制法制造技术
本发明与辐射材料领域有关,涉及一种正硅酸盐荧光粉。在硅氧化物四面体中的部分O↑[-2]被取替,所述的正硅酸盐荧光粉拥有P2nn晶体结构以及在强烈的InGaN异质结短波辐射激发下释放出绿色辐射,其最大光谱依附于在阳离子晶格中Me↑[+2]...
暖白光发光二极管及其锂化物荧光粉制造技术
本发明涉及一种暖白光发光二极管及其锂化物荧光粉,所述锂化物荧光粉是用于暖白光二极管中,其是由元素周期表中第I、III主族元素的氧化物为基体,用电子d层与f层发生跃迁的元素作激活元素,且该荧光粉的基体由锂和钇的同类铝酸盐的固体溶液构成,其...
白光发光二极管及其碘化物石榴石荧光粉制造技术
本发明涉及一种白光发光二极管及其碘化物石榴石荧光粉,所述碘化物石榴石荧光粉,其是以石榴石架构的稀土氧化物元素为基质,其特征在于:在该荧光粉材料中添加引入碘离子I-1及硅离子Si+4,阴离子晶格中相互补偿电子,形成如下化学计量公式:(∑L...
白光二极管、增效转光粉、荧光粉及荧光粉的制备方法技术
本发明涉及一种白光二极管、增效转光粉、荧光粉及荧光粉的制备方法,其中应用了能辐射多种颜色光,包括白光的氮化物异质结。本发明提出了化学式为Ba↓[x](Y↓[1-y-z]Gd↓[y]Ce↓[z])↓[3]Al↓[5+2x]O↓[12+4x...
以钆镥铈为基质的荧光粉及使用其的暖白光发光二极管制造技术
本发明涉及一种以钆镥铈为基质的荧光粉,其特征在于:该荧光粉材料成份中添加F↑[-1]离子及N↑[-3]离子,取代部分石榴石晶格中的氧离子,其化学计量式为:(Gd↓[1-x-y]Lu↓[x]Ce↓[y])↓[3]Al↓[5]O↓[12-z...
用于发光二极管之氟化硼荧光粉及其制法制造技术
本发明涉及一种以含铈的钇铝石榴石为基质的荧光粉,其以铈为激活剂,可将一氮化物异质结所发出的蓝光转换成亮黄色光,其特征在于:其化学式为:Ln↓[3]Al↑[+3]↓[2-x](AlO↓[4])↑[-5]↓[3-x](BF↓[4])↑[-1...
半导体光源的多波峰荧光无机物制造技术
一种半导体光源的多波峰荧光无机物,其适用于半导体光源的白光发光装置,该半导体光源可发出波长范围为400~530nm之光,其特征是,该荧光无机物不仅含有公知的钇铝石榴石成份,更包含了ⅣB族氧化物,此等氧化物可与ⅡA族元素如钙、锶或钡等的氧...
太阳能电池发光转换层及其无机荧光粉制造技术
本发明系有关能源技术领域,具体而言系有关用于制造硅太阳能电池的材料结构;本发明的太阳能电池结构系采用有机硅聚合物及无机氧化物荧光粉聚集而成。该太阳能电池组份来自多晶硅、单晶硅,及非晶硅,目的是为了更好的提高太阳能电池的有效参数。在具有含...
用于短波半导体的发光二极管及荧光粉制造技术
本发明涉及一种用于短波异质结发光二极管的荧光粉,该荧光粉可创造白光辐射,这种白光辐射源于异质结的蓝色辐射和荧光粉吸收蓝色后辐射出的黄色光。这种荧光粉的成分以钇铝石榴石为基质,形成了化学式:A↓[3]B↓[5]C↓[12]:TR,其中A=...
紫外光固体光源的无机发光材料制造技术
一种紫外光固体光源的无机发光材料,其中该无机发光材料为硅酸盐基的紫外光发光固体光源的无机发光材料,其化学成分为(Sr↓[a]Eu↓[b]Sm↓[c]Yb↓[d])↓[2](Ca↓[e]Mn↓[f]Sn↓[g]Cu↓[h])(Lu↓[k]...
一种高亮度二极管白光光头制造技术
本实用新型是一种高亮度二极管白光光头,它涉及半导体发光器件及装置,它包括芯片、导线、金属基板、电路端子和荧光粉层等组件,其特征在于:在金属基板上设置有光源波长为400~490纳米的二极管发光芯片,并通过两根导线分别与设置在金属基板两边的...
多棱面大粒度分散萤光粉及使用它的白光二极管制造技术
本发明属于半导体和照明科技,具体来说属于半导体白光发光二极管,可以用来构造照明系统,用于生产,生活和装饰。推荐的发光二极管主要由氮化镓氮化铟为基础的异质结,装备由钆-钇-镥基,铈催化的多棱面大粒度分散萤光粉的光谱转换器通用方程式为:Gd...
自然光能电池及增效转光粉制造技术
本发明涉及一种自然光能电池及增效转光粉,其通过将发光光谱在太阳辐射峰值波长(λ=470nm)与单晶硅对光照敏感性最高时的波长(λ=860~880nm)间移动,自然光能电池的有效率通常可达14~16%。本发明还提供了可将太阳短波及可见光波...
白光半导体光源及镧镓硅酸盐基质的荧光粉及其制作方法技术
本发明系关于一种白光半导体光源,其包括铟镓氮化物基础上的异质结,含有无机荧光粉的聚合物涂层,聚合物层位于球面镜盖与该聚合物涂层之间,其特征在于:该无机荧光粉的总公式为La↓[3]Ga↓[5]SiO↓[14],可被铈激发,该荧光粉具有镧镓...
一种白光发光二极管及其无机荧光粉制造技术
本发明系关于一种紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管,其系在半导体铟镓氮化物的异质结基础上制作而成,该异质结辐射光谱最大值从λ=395~405nm的近紫外线光,其特征在于:一均匀浓度的发光转换涂层形成于该异质结辐射表面,且该发光转换涂层...
用于短波发光二极管的立方结晶构造无机石榴石荧光粉及其制作方法技术
本发明系关于一种用于短波发光二极管的立方结晶构造无机石榴石荧光粉,其具有多元素的骨架构造,被f及d元素离子激活,其特征在于:在上述材料组成中添加周期表中的五组离子,其化学计量公式为Me↓[2]↑[1]Me↓[2]↑[2]Ln↓[1]Me...
发光二极管及其荧光粉制造技术
本发明系关于一种荧光粉,其以钇铝石榴石为基体,Ce为激发剂,(Y↓[1-x-y-z]Gd↓[x]Ce↓[y]Ba↓[z])↓[3]Al↓[5]O↓[12-z/2]F↓[z]的化合物,其中,x=0.1-0.45,y=0.01-0.08,z...
发光二极管及其荧光粉及有机薄膜层制造技术
本发明系关于一种荧光粉,其以钇铝石榴石为基体,铈作激发剂,其组成中加入了铽离子、镓离子、镱离子和镥离子,形成化学式为(Y↓[1-x-y-x-p-q]Gd↓[x]Tb↓[y]Yb↓[z]Lu↓[p]Ce↓[q])↓[3]Al↓[5]O↓[...
光能电池及其红光转换层制造技术
本发明系关于一种光能电池及其红光转换层,该转换层的特征在于可吸收太阳光谱紫外线、紫、蓝、浅蓝、黄-绿部分,并变换为红光、暗红光以及近红外线的次能带辐射。该转换层的吸收光谱最大值位于λ=470~490nm的区域,再辐射光谱最大值位于700...
橙黄发光荧光粉及使用其的暖白色发光二极管制造技术
本发明系关于一种橙黄发光荧光粉,其以被铈激化的稀土石榴石为基质,特征在于:该荧光粉基质成分中添加Li、Si、N及F原子,构成化合物的总化学计量公式:(∑Ln)↓[3]Al↓[5-x-y]Li↓[y/3]Mg↓[x/2]Si↓[(x/2+...
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