【技术实现步骤摘要】
本专利技术系与辐射材料领域有关，具体而言，创造源自InGaN的半导体异质结为基础，英文称之为固态光源(Solid State Light)或半导体照明技术。
技术介绍
该固态光源或半导体照明技术最近十年得以迅速发展，而该半导体光源的优势是采用更亮的更有效的发光，此种建立含有大量量子阱InGaN异质结为新颖结构光源的创始人是日本的研究学者S. Nakanura (S. Nakamura Blue Laser.Springer Verlag， Berlin 1997)。位于异质结InGaN辐射的蓝光光谱区域中组成的源自黄色光谱区域的无机荧光粉与聚合物相互连接，结合异质结蓝光辐射形成不同色调的强烈的白光辐射。可以制造类似的具有绿色发光的白光发光二极管，但是这里采用具有紫外光辐射及绿色发光无机荧光粉的半导体异质结。类似这样具有绿色发光的相结合的设备在本案专利技术人所拥有之美国专利公开第US 2007/0267967A号案中曾加以描述。该仪器具有均匀及非常亮的绿色辐射发光，因此现今这样的专利技术系属于绿色工业照明体系。绿色辐射发光荧光粉数量非常庞大，所有多样的材料类型可划...
【技术保护点】
一种硅酸盐结合Ⅱ族元素为基质的正硅酸盐绿色荧光粉，其是以铕作为激活剂，其中在材料中添加引入成份，所形成的化学计量公式如下式所示： （∑Ｍｅ↑［＋２］∑Ｌｎ↑［＋２］）↓［８－ｘ］Ｓｉ↑［＋４］↓［４－ｘ］（∑Ｌｎ↑［＋３］∑Ｍｅ↑［＋ ３］）↓［２ｘ］（Ｏ↓［１－ｙ］∑Ａ↑［－１］↓［ｐ］∑Ａ↑［－２］↓［ｑ］∑Ａ↑［－３］↓［ｒ］）↓［１６］ 其中 ∑Ｍｅ↑［＋２］＝Ｂａ↑［＋２］和／或Ｓｒ↑［＋２］和／或Ｃａ↑［＋２］和／或Ｍｇ↑［＋２］和／或Ｚｎ↑［＋２ ］， ∑Ｌｎ↑［＋２］＝Ｅｕ↑［＋２］和／或Ｓｍ↑［＋２］和／或Ｙｂ↑［＋２］，替...
【技术特征摘要】
1. 一种硅酸盐结合II族元素为基质的正硅酸盐绿色荧光粉，其是以铕作为激活剂，其中在材料中添加引入成份，所形成的化学计量公式如下式所示(∑Me+2∑Ln+2)8-xSi+44-x(∑Ln+3∑Me+3)2x(O1-y∑A-1p∑A-2q∑A-3r)16其中∑Me+2＝Ba+2和/或Sr+2和/或Ca+2和/或Mg+2和/或Zn+2，∑Ln+2＝Eu+2和/或Sm+2和/或Yb+2，替换部分Me+2，∑Ln+3＝Y+3和/或Eu+3和/或Gd+3和/或Sm+3和/或Tb+3和/或La+3和/或Nd+3和/或Pr+3和/或Ce+3，替换部分Si+4和Me+2离子，∑Me+3＝Al+3和/或Ga+3和/或B+3，替换部分Si+4和Me+2离子，∑A-1＝F-1和/或Cl-1和/或Br-1和/或I-1，∑A-2＝S-2和/或Se-2，∑A-3＝N-3和/或P-3，y＝p/2+q+3r/2替换部分在氧化硅四面体中的0-2，对于所述的正硅酸盐荧光粉具有P2nn以及在强烈的InGaN异质结短波辐射激发下释放出绿色辐射，其最大光谱依附于在阳离子晶格中Me+2及Ln+2.+3数量间的相互关系，而在V，VI，VII族上替换O-2的数量，出自F，Cl，Br，I，S，Se，N，P系列。2. 如权利要求1所述的正硅酸盐绿色荧光粉，其中对于在阳 离子晶格成份中的II族元素浓度为<formula>formula see original document page 2</formula>此外，对所有具有氧化程度+2的成份组份 2Me+2+2Ln+^l原子分率。3. 如权利要求1所述的正硅酸盐绿色荧光粉，其中对于从稀 土元素2Ln+3及+3价金属元素SMe+3的成份添加，其化学指数x 为0. 000Kx《0. 5。4. 如权利要求l所述的正硅酸盐绿色荧光粉，其中所述之材 料浓度中添加引入3111+2， Yb+2离子为0. 0001《Sm+2《0. 01, 0. 000KYb+2《0. 01。5. 如权利要求1所述的正硅酸盐绿色荧光粉，其中在阴离子晶格中添加引入SA—^ F4和/或cr和/或Br ^卩/或r,在四面体Si04中替换氧离子，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡绮睿，罗维鸿，索辛纳姆，
申请(专利权)人：罗维鸿，张为昕，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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