一种半导体结构包含布置在n型区(22)和p型区(26)之间的III族氮化物发光层(24)。该半导体结构进一步包含生长在第一层(23)上的曲率控制层(25)。该曲率控制层布置在n型区和第一层之间。该曲率控制层具有比GaN的理论a晶格常数小...