本发明是有关于一种薄膜制造方法，其包括下列步骤：提供原始基板；形成蚀刻停止薄膜层于原始基板上；形成牺牲层于蚀刻停止薄膜层上；植入气体离子，以形成离子分布浓度高峰层并界定出有效转移薄膜层及剩余层；以及分离有效转移薄膜层及剩余层。可通过控制...