本发明涉及高耐压大电流低杂感功率半导体模块，包括外壳，外壳为上端开口的中空结构；外壳内设置第一端子组件、第二端子组件、第一基板和第二基板；第一端子组件包括第一塑封结构以及埋设于第一塑封结构内的第一端子；第二端子组件包括第二塑封结构以及埋...