本发明提供了一种碳化硅垒晶层的制造方法，其包括以下步骤：步骤一，在原本的硅晶圆制程上先以植入晶种方式进行拉晶；步骤二，成长一个含有氮化硅铝或多晶层的缓冲层或微量的碳化硅晶种，以改变晶圆表面的晶格长度；步骤三，先以微量成长碳化硅；步骤四，...

本发明提供了一种半导体功率元件，包括闸极引脚、集极引脚、源极引脚、功率芯片、第一散热基板、闸极、源极、第一引线、第二引线、第二散热基板，集极引脚位于闸极引脚和源极引脚之间，第一散热基板与集极引脚连接在一起，闸极、源极都位于功率芯片上，功...