本发明公开了一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，涉及材料领域，主要为了弥补传统的半导体纳米材料制备方法的不足；该方法包括以下步骤：S01、将氯化钾溶于水中，配制成浓度为0.5‑0.9mol/L的氯化钾溶液；S02、以铝棒作为前驱物置...

本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，该方法包括以下具体步骤：将加入有催化剂且粒径为2～7nm的贵金属量子点置于浓度为55％的酒精溶液中超声波分散20～40min后，滴加到金属氧化物半导体材...