本申请描述了使用增材制造技术(AMT)制造的薄型辐射器(LPR)。这样的AMT辐射器适合用于可以使用AMT制造工艺制造的阵列天线。

提供了一种用于电路板的电磁电路结构和方法，该电路板包括被设置为穿过基板的孔，以提供到诸如信号迹线(或带状线)这样的至少部分封装(例如，夹在中间)在基板之间的电气部件的通道。所述电气部件包括基本上与所述孔对准的部分，并且电导体被设置在所述...

本文描述的构思、系统、电路和技术针对可以使用增材制造技术提供的螺旋天线，从而提供一种能够在比使用标准光刻或印刷电路板(PCB)制造工艺制造的螺旋天线更高的频率下工作的天线。

一种射频电路，包括至少一个介电基板、形成在介电基板中的沟槽以及沟槽中的电连续导电材料。射频电路还可包括第一介电基板、第二介电基板，并且在第一介电基板和第二介电基板中形成沟槽。一种制造电磁电路的方法，包括：提供至少一个介电基板；在所述至少...

一种薄型阵列(LPA)，包括具有至少一个法拉第壁的天线元件阵列层和耦接到所述天线元件阵列层的波束形成器电路层。波束形成器电路层具有至少一个法拉第壁。法拉第壁在与天线元件阵列层和波束形成器电路层中的至少一个相关联的多个接地平面之间延伸。

本发明公开了一种从键合晶圆工艺制造具有期望或预期平坦度的单个裸片器件的方法。在晶圆制造工艺中的某一时间点测量键合晶圆的平坦度。将该测量值与通过同一工艺制成的在先器件的经验分析所预先确定的值相比较。如果该键合晶圆的平坦度未达到预定值，则将...

本发明提供一种用于检测肿瘤的系统和方法。在注射造影剂之前和/或之后，通过穿透性辐射对患者进行三维扫描。原始密度阵列由扫描形成。计算器官内的中值密度，并从原始密度阵列中的每一个中减去中值密度以形成偏移阵列。将偏移阵列成对地减去，然后将差值...

一种电路以及一种用于调节电流并将断路器设置到电路的方法。该电路包括：双向单元，该双向单元包括用于在正向操作模式期间的功率流的一组正向开关和用于在反向操作模式期间提供反向功率流的一组反向开关；控制电感器，其用于在反向操作模式期间控制电流流...

本发明公开一种用于使通过穿透辐射执行三维扫描而获得的数据可视化的系统和方法。原始密度阵列由扫描形成，每一个原始密度阵列都是三维阵列。处理的密度阵列通过一个或多个操作形成，例如取两个原始密度阵列之间的差值，旋转已处理的密度阵列，将已处理的...

一种单斜率模数转换器，包括具有正输入和负输入以及比较器输出的比较器，计数器以及被连接到计数器的输出并且包括触发器输入的锁存器。还包括耦合到比较器输出的脉冲发生器，每当负输入上的信号从低于正输入上的电压电平的电压电平转变为高于正输入上的电...

提供了一种捡放机模块。该捡放机模块包括喷嘴和夹头盘。喷嘴包括本体、头部以及在本体与头部之间延伸的管状元件，使得头部经由管状元件而与本体连通，从而使得能够由头部来捡起部件。夹头盘绕管状元件附连至本体的面向头部的表面，并且构造成将入射到夹头...

本发明涉及松香防护涂料及其使用方法，本发明的松香防护涂料包含树脂组合物，该树脂组合物包括松香、乳化剂和随机化添加剂。该树脂组合物可用于储存电路卡时保护电路卡。该树脂组合物是可焊接的并易于从焊接部件中被去除。

一种方法（500）包括：基于在成像系统（100）的像素处接收到的照明来生成强度值（216）。通过在第一时间段期间使用检测器（200）的第一计数器（210）对值进行积分（506）来生成强度值。该方法还包括：使用检测器的第二计数器（212）...

本发明提供一种微机电系统(MEMS)封装件，其包括在用以限定长度的第一对外边缘与用以限定宽度的第二对外边缘之间延伸的基底。基底上设置有密封环组件并且该密封环组件包括至少一个密封环，所述至少一个密封环产生与至少一个MEMS器件相邻的第一边...

本发明公开了一种自由空间光通信系统(100)和方法，包括多个卫星(102)的卫星群。每个卫星都包括：多个卫星间光学望远镜(204)，用于与多个邻近卫星进行光通信，每个卫星间光学望远镜能够调节其倾斜角度以适应卫星群中卫星数量的变化；和多个...

一种方法包括确定（701）多个晶体管器件（325‑330）中的每个的栅极（333）的输入电压的初始电压电平和持续时间。每个晶体管器件接收功率输入并控制通过晶体管器件的电流。该方法还包括根据初始电压电平和持续时间来控制（703）每个晶体管...

一种充电管理系统，包括用于将能量从电源分配到负载的配电总线电路，以及可操作地连接到该配电总线电路的、用于协助向负载分配能量的中间储能电路。充电管理系统控制器可以配置为在一个或多个模式期间控制中间储能电路和配电总线电路之间的能量释放。这样...

一种热交换器(120、200)包括被构造成载运工作流体的至少一个管道(124、204a‑204n)。所述热交换器还包括接近所述至少一个管道的多个腔室(122、206a‑206n、208a‑208n)，每一腔室被构造成容纳在冻结时膨胀的相...

提供了将集成电路(IC)在晶片级转移到可替代的基底上以使得能够实现电路层与不同的材料的热膨胀系数(CTE)匹配的方法。所述方法相对于晶片(11)可执行，所述晶片(11)具有电路层(12)、第一主表面(121)、与所述第一主表面相对的第二...

一种热交换器包括被构造成容纳工作流体的壳体。所述热交换器还包括安置在所述壳体内并且被布置成当所述工作流体在所述壳体内时由所述工作流体环绕的多个腔室，每一腔室被构造成容纳在冻结时膨胀的相变材料(PCM)。每一腔室的壁由允许所述工作流体与每...