本发明属于仪器仪表技术领域，具体公开了一种标准数字接口的气体流量控制系统及控制方法，系统包括PC机、若干个气体流量控制器，以及实现PC机与气体流量控制器通讯连接的CAN总线，其中：气体流量控制器包括安装于气路管道上游的流量传感器和安装在...

本申请公开了一种PIC与充电电流拟合相结合的卫星表面充电电位计算方法。该计算方法通过PIC分析空间等离子体特性、拟合一定时间内卫星表面充电电流、计算卫星表面电位三个步骤；它以PIC等离子体模拟为基础，针对PIC计算卫星表面电位耗时长的问...

本发明涉及空间辐射环境探测技术领域，尤其涉及一种宽量程小型化空间质子探测器及探测方法，包括低能探测区和高能探测区，其中：低能探测区用于探测鉴别中能质子，设置有石墨烯薄膜、微通道板以及第一探测器，高能探测区用于探测鉴别高能质子，设置有第二...

本发明涉及空间环境探测技术领域，尤其涉及一种用于空间低能离子探测的传感器，包括安装板组件、支架组件以及探测器组件，其中：安装板组件包括上安装板、上极板以及顶帽，上极板和顶帽均固定在上安装板上；支架组件包括支架、下极板以及外半球，下极板和...

本申请公开了一种

本申请公开了一种月尘防护材料防护效果的评价方法。该评价方法包括以下步骤：S1.将覆盖月尘颗粒的试样置于金相显微镜下观察，获取离心前显微图像；S2.将覆盖月尘颗粒的试样置于均胶机中，离心处理；S3.将离心后的试样放置在金相显微镜下观察，获...

本申请公开了一种碳纳米材料空间带电粒子辐射效应表征方法，通过对不同碳纳米材料在不同能量的不同辐照源下的宏观性能和微观性能进行表征，获得碳纳米材料在辐照作用下的退化规律及退化机制。材料受辐照后可能产生的机理主要包括电离损伤和位移损伤两种方...

本申请公开了一种非均匀非金属材料出气污染薄膜光学性能的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)建立多层薄膜光学污染效应模型；(2)计算每层薄膜的光学常数和厚度；(3)计算粗糙表面及过渡层的光学常数；(4)将计算得到的每层薄膜的光学常数...

本申请公开了一种空间高速带电颗粒模拟装置，包括储尘盒、旋转盘、真空室、测速仪、以及试验件，储尘盒位于旋转盘的中间位置；旋转盘上形成有螺线通道，尘埃颗粒出口与螺线通道首端连通；旋转盘置于真空室内，螺线通道末端与真空室连通；试验件置于真空室...

本申请涉及密封性测试技术领域，具体而言，涉及一种应用于封装电子元器件双工位超灵敏检漏方法及系统，包括如下步骤，S1.对封装元器件进行加压充氦；S2.对前处理罐进行保压处理；S3.将氦气排出，通入干燥的热氮气进行吹扫；S4.将封装电子元器...

本申请公开了一种基于出气率的电真空器件的真空度检测方法，包括以下步骤：(1)确定电真空器件的出气率q

本发明涉及气体测量技术领域，尤其涉及一种微小气体流量测量装置及方法，包括储气罐、定容器、抽气泵、液面控制器、光栅检测装置以及步进电机伺服系统，其中：储气罐通过第一管路与定容器的进气口连通；抽气泵通过第二管路与定容器的出气口连通；液面控制...

本申请公开了一种差分式微小气体质量流量传感器，所述传感器包括取样管、两个或多个加热器、密封盒、端部连接端，其中：取样管与密封盒同轴线布置并穿过密封盒，取样管两端分别伸出密封盒形成端部连接端，取样管中间管部密封在密封盒内；取样管第一端端部...

本申请公开了一种精密气体流量计，包括：气体流通管道、压力传感器、转子装置、以及检测装置，气体流通管道两端开口，其第一端形成流量计气体入口连接端，第二端形成流量计气体出口连接端；压力传感器布置在气体流通管道内，用于检测气体流通管道内的流通...

本申请涉及空间电推进系统设备技术领域，具体而言，涉及一种用于胶体推进器的微小流量贮供装置，包括：贮胶装置、控制装置、供胶装置以及基板，其中：贮胶装置、控制装置以及供胶装置均固定安装在基板上；贮胶装置包括贮箱和贮箱支架，贮箱通过贮箱支架固...

本发明属于空间辐射环境探测技术领域，具体公开了一种基于石墨烯场效应管的空间辐射探测传感器，包括半导体基底吸收层、氧化物绝缘层、石墨烯探测层以及嵌入到半导体基底吸收层的源极和漏极，其中：氧化物绝缘层位于半导体基底吸收层与石墨烯探测层之间；...

本发明属于空间核反应堆测控技术领域，具体公开了一种核反应堆安全棒性能测试系统，包括工控计算机、控制机柜、安全棒驱动机构以及安全棒组件，其中工控计算机与控制机柜连接；控制机柜包括UPS电源模块，以及与UPS电源模块分别连接的电机驱动模块、...

本申请涉及测量标定技术领域，具体而言，涉及一种空间用微气体流量控制器标定系统及方法，包括：试验箱、真空计量罐以及真空泵，其中：试验箱内部包括依次连接的储气瓶、第一自锁阀、减压阀以及待标定微气体流量控制器；待标定微气体流量控制器通过旋转接...

本申请涉及微推力器技术领域，尤其涉及一种基于流量计的μN推力器及使用方法，所述基于流量计的μN推力器包括：气瓶、流量计、缓冲室以及控制器，其中：气瓶和流量计连接，流量计和缓冲室连接；控制器分别与气瓶、流量计和缓冲室电连接，分别用于控制气...

本发明涉及一种真空磁控溅射卷绕镀制低残余应力厚铜膜的方法，属于铜膜制备技术领域。本发明所述方法一方面通过优化溅射气压，使铜膜中的压应力和张应力接近并相互抵消；另一方面在镀膜辊轴中通入冷却液使柔性基底温度在溅射过程中保持在室温左右，抑制热...