本发明涉及流量传感器技术领域，特别是涉及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法，包括基底、氮化硅层、氧化硅层、金属层、接触孔和钝化保护层，由此形成上下层金属导通的纵向多层结构，三层金属层中均设置测温电阻，最上层氮化硅层中间部位金属...

本发明涉及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法，方法包括：在基底的正、背面分别设置氮化硅层；在基底正面的氮化硅层上形成硅支撑层；在硅支撑层正面的指定区域形成槽阵列；利用热氧化法对槽阵列进行氧化填充，使指定区域全部热氧化形成氧化硅...

本申请公开了一种压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法，属于MEMS传感器领域。该方法中，在硅衬底处形成凹槽结构，凹槽结构在后续硅衬底与顶层硅片键合下形成真空腔体，顶层硅片处形成压阻结构，对压阻结构曝光时，通过微孔阵列定位硅衬底上的零...

本申请公开了一种MEMS压力传感器封装结构，属于MEMS传感器领域。该结构设计中实现了MEMS芯片、MEMS时钟芯片、信号调理芯片的多芯片封装，在同一管壳内完成MEMS封装，压缩器件体积，实现了高度集成，从而极大地降低了产品成本，扩大产...