本发明属于纳米材料制备与应用技术领域，尤其涉及一种大高宽比硅纳米锥阵列的制造和湿法锐化方法，通过干法刻蚀阶段中，用等离子体深硅刻蚀刻出5微米高的硅柱，在硅柱的基础上，创新性地融合了连续模式刻蚀与氧气等离子体刻蚀的刻蚀模式，周期性的对样品...