一种用于在宽功率范围放大射频信号的具有改进的效率的射频功率放大器包括用于在第一功率范围放大射频信号并且功率饱和电平低于宽范围功率最大值的主放大器（２０）。多个辅助放大器（２１、２２、２３）与主放大器并联，并且每个辅助放大器（２１、２２、...

多芯片功率放大器，其包含：ａ）具有多个输入导线和多个输出导线的外壳，ｂ）多个安装在外壳中的半导体芯片，每个芯片包含晶体管放大器，ｃ）多个第一匹配网络，每个匹配网络将半导体芯片耦合到输入导线，以及ｄ）多个第二匹 ...

公开了一种以改进效率在大功率范围上放大ＲＦ信号的ＲＦ功率放大器电路，其包括在第一功率范围上以低于大功率范围最大值的功率饱和电平放大ＲＦ信号的载波放大器。多个峰值放大器与载波放大器并联连接，每个峰值放大器在载波放大器接近饱和之后偏置，以顺...

本发明的课题是一种ＲＦ功率器件，包括在第一半导体芯片中制造的功率晶体管和在第二半导体芯片中制造的ＭＯＳＣＡＰ型结构。限压器件用于保护功率晶体管免遭输入电压尖峰的影响并最好与ＭＯＳＣＡＰ一起在半导体芯片中制造。另一方面，限压器件可以是在电...

一种与微波传输带输入和输出端口一起使用的共面耦合器（１４），其包括印刷电路底衬，其中第一和第二金属输入端口形成在顶表面上并与在底表面上的金属层配合使用以作为微波传输带线，第一和第二金属输出端口形成在顶表面上并与在底表面上的金属层配合使用...

一种在绝缘体上的硅衬底中制造的半导体器件，包括支撑硅衬底（１０）、被衬底支撑的氧化硅层以及覆盖氧化硅层的硅层。在部分氧化硅层（１２）上的硅层中制造电子元件，然后掩蔽和刻蚀与元件相反的衬底。然后在已被刻蚀除去的部分衬底中形成金属层，金属层...

一种在绝缘体上的硅衬底中制造的半导体器件，包括支撑硅衬底（１０）、被衬底支撑的氧化硅层以及覆盖氧化硅层的硅层。在部分氧化硅层（１２）上的硅层中制造电子元件，然后掩蔽和刻蚀与元件相反的衬底。然后在已被刻蚀除去的部分衬底中形成金属层，金属层...

公开了一种以改进的效率在大功率范围上放大ＲＦ信号的ＲＦ功率放大器电路，其包括在第一功率范围上并以低于功率范围最大值的功率饱和电平放大ＲＦ信号的载波放大器。一个或多个峰值放大器与载波放大器并联连接，其中每个峰值放大器在载波放大器接近饱和之...