本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括具有第一和第二相对表面的衬底。多个导电通孔被形成为部分地穿过衬底的第一表面。第一导电层形成在衬底的第一表面上，并电连接到导电通孔。第一半导体管芯被安装到衬底的第一表面上。第一半导体管芯...