本发明公开了一种减少湿法刻蚀清洗剂用量的系统，包括：供液单元，用于分别向第一清洁腔室和第二清洁腔室内通入原液；回收装置，用于回收处理所述第二清洁腔室内排出的废液，获得满足预设要求的待配置溶液，并将所述待配置溶液作为原液通入至所述第一清洁...

本发明公开了一种用于光学信息处理系统中的磁光结构及其制备方法、制备设备。该磁光结构包括具有石榴石结构的介电材料制成的衬底；所述衬底上形成的磁光薄膜，所述磁光薄膜的磁化矢量位于所述磁光薄膜的平面中。本发明磁光结构的分辨率和灵敏度可以通过改...

本发明公开了一种高压肖特基二极管，属于半导体技术领域。该高压肖特基二极管包括阴极金属、N+型基板、N

本发明公开了一种采用静态高压在硅上形成致密氧化层的方法，包括：在硅上形成氧化层；对氧化层用静水压力进行循环处理。所述氧化层为硅上沉积二氧化硅膜或硅上沉积二氧化硅膜与氮化硅双重膜。对硅上沉积二氧化硅膜或硅上沉积二氧化硅膜与氮化硅双重膜用静...

本发明公开了一种抗辐射金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法，属于电子工程技术领域。该器件包括抗辐射金属氧化物半导体场效应器件包括表面上具有无缺陷区域层的硅晶片。本发明的制造抗辐射金属氧化物半导体场效应器件的方法，高效率吸附半导体器件功...