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金俊成专利技术
金俊成共有4项专利
使用具有交叉点结构的存储器阵列的神经形态系统技术方案
本发明的目的是提供一种神经形态系统及用于该神经形态系统的运行方法,该神经形态系统包括能够引起用于模拟信息处理的电阻的渐进变化的突触单元。为了实现上述目的,本发明的一个方面可以提供一种神经形态系统,该神经形态系统包括:输入信号部,其用于生...
含有硫属化合物的存储器单元的组分、其结构、其制造方法及其操作方法技术
本发明的目的是与包括硫属化合物的存储器元件相关地提供一种用于存储器元件的稳定操作的组分、适用于该组分的存储器结构、用于制造其的方法以及用于操作其的方法。为实现上述目的,本发明可以提供一种具有交叉点结构的存储器阵列,该存储器阵列包括:彼此...
控制突触元件中电阻逐渐变化的装置和方法制造方法及图纸
本发明的目的是提供一种存储器装置,该存储器装置能够产生用于处理用于实现神经形态系统的突触元件的分析信息的逐渐电阻变化。为了解决前述缺陷,本发明提供了一种存储器装置,该存储器装置包括:存储器阵列,其包括能够选择性地存储逻辑状态的多个存储器...
用于读取包含两端子开关材料的交叉点型存储阵列的方法技术
本发明的目的是提供在用于突触装置的存储阵列中的模拟信息处理的电流读取方法。为此,本发明提供了一种读取包含两端子开关材料的存储阵列的方法,该方法包括以下步骤:(a)向所述存储阵列施加电压以选择一个或更多个单元;以及(b)同时测量所述所选择...
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