本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p型宽禁带氧化物和ZnO组合垂直结构发光器及其制备方法。器件依次由衬底、在衬底上外延生长的n‑ZnO发光层、在n‑ZnO发光层上制备的空穴注入层、在空穴注入层上制备的上电极、在衬底下面制...

本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及两种Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO‑GaN組合紫外发光管及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的p型GaN空穴注入层，空穴注入层上制备的n‑ZnO电子注入层和下电极，电子注入层上面制备的...