一种UV、R、G、B、IR之其中任意组合滤光结沟，其包括一基板及一滤光层，其中该基板为晶圆半导体感测元件或透光元件的产品，该滤光层形成于该基板的一侧面，由矩阵排列的复数基本单元所组成，每一基本单元包含由真空镀膜方式形成的复数像素滤光膜，...

一种利用金属掀离工艺的半导体元件制造方法及其制成的半导体元件，通过光阻涂布、曝光、显影、再镀上金属层，并利用光阻去除液去除光阻层，在去除光阻层时会将光阻层顶部的金属剥离，可不需蚀刻工艺，即可完成半导体元件所需的电路布设；此外，通过工艺参...

一种红外截止滤光片结构，包括一玻璃基板、一第一多层膜及一第二多层膜，其中该第一多层膜设于该玻璃基板的上侧面，由复数高折射率材料及复数低折射率材料交互堆栈形成，使该第一多层膜对入射角0度及30度、900nm至1100nm波长范围内的光线的...

一种红外截止滤光片结构，包括一玻璃基板、一第一多层膜及一第二多层膜，其中该第一多层膜设于该玻璃基板的上侧面，由复数高折射率材料及复数低折射率材料交互堆栈形成，使该第一多层膜对入射角0度及30度、900nm至1100nm波长范围内的光线的...

一种利用金属掀离工艺制成的半导体元件，通过光阻涂布、曝光、显影、再镀上金属层，并利用光阻去除液去除光阻层，在去除光阻层时会将光阻层顶部的金属剥离，可不需蚀刻工艺，即可完成半导体元件所需的电路布设；此外，通过工艺参数安排，使光阻层的轮廓呈...

本发明提供了一种红外带通滤波结构由复数氢化硅铝层及复数较低折射率层交互堆栈形成，该复数较低折射率层为一氧化物，该红外带通滤波结构具有800nm至1600nm的波长范围内至少部分重迭的一通带，该通带具有一中心波长，且该中心波长在入射角自0

本实用新型提供了一种红外带通滤波结构由复数氢化硅铝层及复数较低折射率层交互堆栈形成，该复数较低折射率层为一氧化物，该红外带通滤波结构具有800nm至1600nm的波长范围内至少部分重迭的一通带，该通带具有一中心波长，且该中心波长在入射角...