本发明涉及半导体材料的技术领域，具体为一种可持续生长超大厚度碳化硅晶体的方法，包括如下步骤，a.生长装置准备；采用带有分区加热模块的PVT电阻法生长炉制备碳化硅单晶；b.原料与籽晶预处理；将碳化硅粉末填充至坩埚内，并将籽晶固定在坩埚内的...

本发明涉及半导体材料制备工艺的技术领域，具体为一种提高半绝缘粉料出料率的方法，包括如下步骤，一、将石墨粉和硅粉两种原料进行搅拌混料；二、将混合均匀的原料混合物装入到石墨坩埚中；三、启动加热炉内的加热器，对石墨坩埚进行加热，加热器控制石墨...

本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法，将SiC 粉末放入石墨坩埚中生长，SiC 粉末在放入石墨坩埚前进行预处理：控制SiC 粉末中受主杂质总浓度Na与施主杂质浓度Nd满足：0.8Nd≤ Na≤ 1.2Nd...