本发明公开了一种基于半导体晶体管的记忆突触器件，包括衬底、栅电极、栅介质层、半导体沟道与电荷俘获层、源电极和漏电极；其中，栅电极设置在衬底之上，栅介质层设置在栅电极之上，半导体沟道与电荷俘获层设置在栅介质层之上，设置为兼具沟道导通和电荷...

本发明公开了一种基于MEMS的丙酮气体传感器，包括硅基底、微热板结构、绝缘层、叉指电极和敏感材料层，微热板结构设置在硅基底上，微热板结构为悬空膜结构并集成有微型加热电极和测温电极；绝缘层设置在微热板结构上，叉指电极设置在绝缘层，通过真空...