本发明涉及抛光材料制备技术领域，具体为一种适用于硅片的pH值调控的抛光液及其制备方法，其由如下重量份原料组成：研磨颗粒体系25‑38份、pH缓冲调控剂6‑10份、化学活性剂4‑8份、稳定分散剂3‑6份、杂质控制剂2‑5份、缓蚀防护剂1‑...

本发明涉及抛光液技术领域，且公开了一种用于硅片低温抛光的低温稳定型抛光液及其制备方法，包括以下质量份原料：改性磨料5~12份、辅料1~2份、缓蚀剂0.05~0.2份、表面活性剂0.1~0.3份、光亮剂0.3~0.8份、氧化剂1~3份、分...

本发明涉及多晶硅生产装置技术领域，具体为一种多晶硅还原炉，包括固定支架，所述固定支架的下端安装有第一电机，所述固定支架的内侧固定连接有底座，所述底座的上端安装有炉体，所述底座的内侧炉体的内部设置有用于检测生产状态的晶硅检测机构，所述底座...

本发明涉及研磨液技术领域，具体为一种含石墨烯纳米片的晶圆抛光液及其制备工艺，其由如下重量份原料组成：磨料基体；石墨烯改性磨料；氧化剂；络合剂；金属腐蚀抑制剂；pH调节剂；分散稳定剂；界面改性剂；缺陷修复剂；缓蚀增效剂；润湿性调节剂；抗团...

本发明涉及有机污染物处理技术领域，公开了一种废抛光液降低COD处理装置，包括底座，所述底座的上表面固定连接有沉淀槽，所述沉淀槽的上表面设置有对废弃抛光液与药品混合的搅拌机构，所述沉淀槽的内部设置有对抛光液反应后产生的漂浮物清理的升降拨片...

本发明涉及单晶硅片切割技术领域，具体为一种单晶硅片切割装置，包括机箱，所述机箱的内侧固定连接有支撑架，所述支撑架的内侧安装有气缸，所述支撑架的上端安装有用于推动圆柱形单晶硅棒的供料机构，所述供料机构的内侧设置有用于切割制造圆柱形单晶硅棒...

本发明涉及硅片清洗装置技术领域，具体为一种硅片清洗机，包括控制箱，所述控制箱的内侧固定连接有安装架，所述安装架的一侧安装有第一电机，所述第一电机的内侧安装有超声波清洗机，所述超声波清洗机的内侧安装有用于滚动清理硅片的转动机构，所述超声波...

本发明涉及废水处理技术领域，具体为一种抛光液废水除油污装置，包括壳体，所述壳体底端侧壁设置有对废水中杂质进行过滤处理的去渣机构，所述壳体顶端侧壁设置有对油污进行处理的去油机构，本发明所述的一种抛光液废水除油污装置，通过清洗机构综合运用喷...

本发明涉及材料加工废液处理领域，具体为一种砷化镓粗抛液制备废液回收装置，包括第一箱体，所述第一箱体内侧壁设置有对废液进行分散的分散机构，所述第一箱体两侧壁均开设有第一槽口，所述第一槽口内侧壁滑动连接有过滤板，所述第一箱体侧壁设置有对过滤...

本发明公开了一种砷化镓粗抛液预处理装置，包括过滤罐，以及设置于所述过滤罐内部的滤板，所述滤板周侧固定安装有驱动滑块，所述滤板周侧开设有限位滑槽，所述滤板内侧固定安装有驱动筒，所述驱动筒周侧固定安装有驱动滑块一，所述驱动筒内表面转动连接有...

本发明公开了一种多晶硅流化床反应器，本发明涉及多晶硅制造技术领域，包括反应筒，所述反应筒的底端侧壁固定连接有多个支撑柱，多个所述支撑柱的一端均固定连接有底板。本发明能够在需要对颗粒状多晶硅进行反应生产时，利用第一气孔与第二气孔向反应筒内...

本发明涉及抛光液制备技术领域，具体为一种用于硅片精抛的超纯净抛光液及其制备方法，其由如下重量份原料组成：纳米氢化金刚石：0.5‑0.8份；氧化锆包覆氧化铝：1.2‑1.5份；硼酸镁纳米线：0.002‑0.004份；高碘酸钠；0.4‑0....

本发明涉及抛光组合物技术领域，且公开了一种用于硅片的高分散性氧化硅基抛光液及其制备方法，包括以下重量份原料：改性纳米氧化硅10~20份、分散剂0.3~0.8份、螯合剂0.1~0.3份、表面活性剂0.1~0.3份、消泡剂0.01~0.05...