本公开涉及一种晶体管器件及制造设备，包括沿着生长方向依次生长的衬底、氮化铝堆叠层与材料堆叠层，所述氮化铝堆叠层包括；第一氮化铝层，所述第一氮化铝层为在所述衬底表面采用第一沉积技术沉积氮化铝得到；第二氮化铝层，所述第二氮化铝层为在所述第一...