一种用于控制在熔体表面上生长的结晶带的厚度的设备，包括被配置为容纳熔体的坩埚；面向熔体的暴露面的冷初始化器；设置在坩埚上方且与冷初始化器位于坩埚的同一侧的分段冷却减薄控制器；和设置在与冷却减薄控制器相对的在坩埚下方的均匀回熔加热器。使用...

光学传感器被配置为检测熔体和熔体上的固体带之间的发射率差异，该固体带可以是硅。光学传感器与冷初始化器定位在坩埚的同一侧。使用光学传感器检测熔体和在熔体上的带之间的发射率差异。这种发射率差异可以用于确定和控制带的宽度。控制带的宽度。控制带...

使用面对熔体暴露面的冷初始化器形成带，使得带漂浮在熔体上。该带是单晶硅。以小角度将带从硅熔体中拉动离开熔体表面。带以与拉动相同的速度形成。在形成稳定弯液面的坩埚壁处将带与熔体分离。带具有在第一表面和相对的第二表面之间的50μm至5mm的...

单晶硅晶片具有50μm至300μm的在第一表面和相对的第二表面之间的厚度。所述晶片包括从所述第一表面延伸第一深度的第一区域。所述第一区域相对于所述晶片的相邻区域具有降低的氧浓度。所述晶片具有大于100μs的体少数载流子寿命。流子寿命。流...

一种用于从熔体生产带的系统，包括用于容纳熔体的坩埚和冷块。冷块具有直接地面对熔体的暴露面的表面。使用冷块在熔体上形成带。炉可操作地连接至坩埚。带在从熔体中移出后穿过炉。炉包括至少一个喷气嘴。喷气嘴可以掺杂带、在带上形成扩散阻挡物、和/或...