ISTE株式会社专利

ISTE株式会社专利技术

ISTE株式会社共有1项专利

SICN薄膜形成方法技术

根据本发明的一实施例，在SiCN薄膜形成中，以SiCN薄膜的折射率达到预设的基准折射率以上的成膜条件形成SiCN薄膜，由此在形成薄膜之后因水分或氧的吸附而导致的劣化现象得到改善，由此可提高元件的可靠性。

最后更新日期：2024-06-14 15:19 访问量：30