IQERF有限责任公司专利

IQERF有限责任公司专利技术

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共用Ⅲ-Ⅴ化合物半导体晶片上集成器件外延晶片的制造方法技术

一种制造外延的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体晶片的方法，其适合在该晶片上后续制造至少两种不同类型的集成有源器件（例如ＨＢＴ和ＦＥＴ），所述方法包括提供衬底、在衬底上生长第一外延结构、和在该第一外延结构上生长第二外延结构。

最后更新日期：2012-04-11 18:40 访问量：173