一种集成电路芯片形成有有源层和富陷阱层。所述有源层形成有有源器件层和金属互连层。所述富陷阱层在所述有源层上方形成。在一些实施方案中，所述有源层包括在半导体晶片内，且所述富陷阱层包括在处理晶片内。

垂直半导体器件（例如，垂直功率器件、IGBT器件、垂直双极晶体管、UMOS器件或GTO闸流管）形成为具有源半导体区域，在该有源半导体区域内制作有多个半导体结构以形成有源器件，并且在该有源半导体区域之下至少一部分衬底材料被去除，以隔离该有...