本发明实施例实现了从绝缘体上半导体(SOI)结构去除过剩载流子。在一个实施例中，公开了一种制造集成电路的方法。在一个步骤中，在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成有源器件。在另一个步骤中，从沉积在所述SOI晶圆的背侧上的基板层区域基板材料。...

本发明实施例为绝缘体上半导体(SOI)结构提供了有效支撑。本发明实施例还可为SOI结构提供改进的散热性能，同时保持SOI结构所伴随的有益的电器件特性。在一个实施例中，公开了一种集成电路。集成电路包括：来自绝缘体上硅晶圆的绝缘体上硅芯片。...

本发明实施例实现了对绝缘体上半导体(SOI)结构的散热。在一个实施例中，公开了一种制造集成电路的方法。在第一步骤中，在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成有源电路。在第二步骤中，从布置在所述绝缘体上半导体晶圆背侧的基板层去除基板材料。在第三...