本发明涉及一种二极管(300)，该二极管包括p型掺杂区(312)、n型掺杂区(314)和光敏本征区(310)，该光敏本征区(310)在与二极管(300)中的光传播方向横切的方向上横向夹在所述p型掺杂区(312)与所述n型掺杂区(314)...

一种集成光电器件包括具有硅层的衬底，硅层包括一个或多个电子部件。互连叠层布置在衬底上，并且包括多个金属层。衬底上的光波导，本文称为FEOL波导，具有光学FEOL耦合部分。光子部件布置在互连叠层中，与衬底相距垂直距离。互连叠层中的光波导，...

本发明涉及一种形成在基底(10)中的集成光波导(1000)。集成光波导(1000)包括孔(12’)、内芯(14’)和一个或更多个连桥(16’)。孔(12’)沿着基底(10)的轴向方向(z)延伸。内芯(14’)由与基底(10)相同的材料制...

本发明涉及一种硅基多功能衬底。该硅基多功能衬底包括从硅基多功能衬底的前表面延伸到后表面的体硅区(102)以及横向布置在体硅区之间的至少一个隐埋氧化物层(108.1、108.2)。该隐埋氧化物层被延伸到前表面的结构化硅层(110.1、11...

本发明涉及电光器件，包括‑具有正面和背面的半导体衬底；‑布置在半导体衬底的正面上的至少一个光子组件，该光子组件包括由非线性光学材料构成的有源层；其中‑至少一个腔，延伸穿过半导体衬底，并且将半导体衬底的正面上的有源层与半导体衬底的背面连接。

本发明公开了一种P型石墨烯基晶体管。石墨烯基热空穴晶体管包括衬底上的发射极层、集电极层、和包含石墨烯层的基极层，其中在基极层和发射极层之间布置发射极势垒层，以及在基极层和集电极层之间并邻近石墨烯层布置集电极势垒层。