专利查询
首页
专利评估
登录
注册
IHP有限责任公司莱布尼茨创新微电子研究所专利技术
IHP有限责任公司莱布尼茨创新微电子研究所共有5项专利
用于改进BEOL器件集成的具有光学互连结构的集成光电器件制造技术
一种集成光电器件包括具有硅层的衬底,硅层包括一个或多个电子部件。互连叠层布置在衬底上,并且包括多个金属层。衬底上的光波导,本文称为FEOL波导,具有光学FEOL耦合部分。光子部件布置在互连叠层中,与衬底相距垂直距离。互连叠层中的光波导,...
集成光波导制造技术
本发明涉及一种形成在基底(10)中的集成光波导(1000)。集成光波导(1000)包括孔(12’)、内芯(14’)和一个或更多个连桥(16’)。孔(12’)沿着基底(10)的轴向方向(z)延伸。内芯(14’)由与基底(10)相同的材料制...
用于电子器件和光电子器件的单片集成的衬底和方法技术
本发明涉及一种硅基多功能衬底。该硅基多功能衬底包括从硅基多功能衬底的前表面延伸到后表面的体硅区(102)以及横向布置在体硅区之间的至少一个隐埋氧化物层(108.1、108.2)。该隐埋氧化物层被延伸到前表面的结构化硅层(110.1、11...
电光器件制造技术
本发明涉及电光器件,包括‑具有正面和背面的半导体衬底;‑布置在半导体衬底的正面上的至少一个光子组件,该光子组件包括由非线性光学材料构成的有源层;其中‑至少一个腔,延伸穿过半导体衬底,并且将半导体衬底的正面上的有源层与半导体衬底的背面连接。
P型石墨烯基晶体管制造技术
本发明公开了一种P型石墨烯基晶体管。石墨烯基热空穴晶体管包括衬底上的发射极层、集电极层、和包含石墨烯层的基极层,其中在基极层和发射极层之间布置发射极势垒层,以及在基极层和集电极层之间并邻近石墨烯层布置集电极势垒层。
1
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
110271
珠海格力电器股份有限公司
85807
中国石油化工股份有限公司
71155
浙江大学
66913
中兴通讯股份有限公司
62282
三星电子株式会社
60603
国家电网公司
59735
清华大学
47591
腾讯科技深圳有限公司
45297
华南理工大学
44378
最新更新发明人
广州市达安医疗器械有限公司
36
深圳迅销科技股份有限公司
20
日亚化学工业株式会社
1070
泗阳京格新材料科技有限公司
24
宜兴富曦机械有限公司
33
山东大学
28025
西门子歌美飒可再生能源公司
671
深圳市万鸿盛塑胶模具有限公司
21
深圳市智慧交通有限公司
30
西安振兴泽博智能震感科技有限公司
26