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I本茨勒专利技术
I本茨勒共有1项专利
半导体器件制造技术
半导体器件,包括底板以及耦合到底板的第一和第二绝缘栅双极晶体管(IGBT)基板。该半导体器件包括耦合到底板的第一和第二二极管基板以及耦合到底板的第一、第二和第三控制基板。结合引线将第一和第二IGBT基板耦合到第一控制基板。结合引线经由第...
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