本实用新型具体公开了一种散热壳，包括：散热壳本体，所述散热壳本体具有安装空腔；循环散热组件，所述循环散热组件包括导热板和散热环管，所述散热环管盘旋连接在安装空腔内且穿过散热壳本体，所述导热板固定在不同散热壳本体一侧的散热环管的侧端。本实...

本实用新型公开了一种防震型MOS管，包括：金属板，管体，弯引脚；所述管体包括衬底、散热层、减震层、缓冲层；所述衬底设置为中空结构，所述衬底内部设有两个对称的耗尽层，所述衬底下方固定连接散热层，所述散热层下方固定连接减震层，所述减震层下方...

本实用新型公开了一种带弹性安装结构的MOS管，包括MOS管，所述MOS管外部套设有便于MOS管焊接的弹性安装组件；所述弹性安装组件包括底座、导向件；所述底座截面呈台阶状并套设在MOS管外部与MOS管紧固连接，底座突出部位其边沿位置贯穿设...

本实用新型公开了一种散热型MOS管，包括散热框、弹性压紧件、限位条、MOS管，所述散热框包括第一工件、第二工件、第三工件；所述第一工件和第三工件相互平行设置；所述第二工件设于第一工件和第三工件之间，其两端分别与第一工件、第三工件垂直连接...

本实用新型具体公开了一种新型MOS管结构，包括：外壳，所述外壳的内部设有安装空腔；MOS管本体，所述MOS管本体位于安装空腔的内部并可穿过外壳；导流通道，所述导流通道穿过外壳位于安装空腔的内部且与MOS管本体接触；温度感应组件，所述温度...

本发明涉及场效应管领域，提供一种多层外延MOS管器件及其制备方法，用于提高场效应管的耐压性能。本发明提供的一种多层外延MOS管器件，包括：在SOI衬底上，形成覆盖所述SOI衬底的第一外延层，在所述第一外延层上开垂直槽，外延填充，将槽填满...

本发明涉及电子设备检测技术领域，一种ESD保护方法及系统，所述的一种ESD保护方法包括：获取电路版图与电路图；对电路图进行学习；根据学习结果对电路版图中的电子元器件进行识别；根据识别结果获取核心电子元器件的位置分布；将核心电子元器件的位...

本发明涉及场效应管领域，提供一种场效应管的制备方法及场效应管，用于提高场效应管的耐压性能。本发明提供的一种场效应管，包括：SOI衬底；第一外延层，所述第一衬底层同所述SOI衬底连接，所述第一衬底层为n型外延层，所述第一外延层上设置有多个...

本发明公开了一种MOS管，包括MOS管本体，所述MOS管本体的两侧壁及底面设限位槽；所述MOS管本体外侧贴紧设有散热块，该散热块设有与限位槽相适配的扣紧部，所述散热块贴紧MOS管本体的端面设有陶瓷片。本发明解决了MOS管与散热块贴合不良...