一种场效应管制备方法及场效应管技术

本发明专利技术涉及场效应管领域，提供一种场效应管的制备方法及场效应管，用于提高场效应管的耐压性能。本发明专利技术提供的一种场效应管，包括：SOI衬底；第一外延层，所述第一衬底层同所述SOI衬底连接，所述第一衬底层为n型外延层，所述第一外延层上设置有多个p垂直槽；第二外延层，所述第二外延层同所述第一外延层连接。可以提高场效应管的耐压性能。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应管制备方法及场效应管
本专利技术涉及场效应管领域，具体涉及一种场效应管制备方法及场效应管。
技术介绍
绝缘衬底上硅(SOI：SiliconOnInsulator)技术作为一种全介质隔离技术，有着许多体硅技术不可比拟的优越性。SOI的金属氧化物管(MOS管)具有功耗低、抗干扰能力强、集成密度高，速度高(寄生电容小)、工艺简单、抗辐射能力强，并彻底消除了体硅MOS器件的寄生闩锁效应等优点。金属氧化物半导体功率集成器件具有开关特性好、功耗小等优点，并且在10~600V的应用范围内金属氧化物半导体功率器件具有较大优势。CN102593181B公开了一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管及其制造方法，基于SOI衬底片结合深沟槽的全介质隔离技术，能够彻底消除以往体硅电路中存在的寄生闩锁效应。但其对MOS管耐压性能的提升还有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题为提高场效应管的耐压性能，提供一种场效应管。为了解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种场效应管，包括：SOI衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应管，其特征在于，包括：/nSOI衬底；/n第一外延层，所述第一衬底层同所述SOI衬底连接，所述第一衬底层为n型外延层，所述第一外延层上设置有多个p垂直槽；/n第二外延层，所述第二外延层同所述第一外延层连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种场效应管，其特征在于，包括：
SOI衬底；
第一外延层，所述第一衬底层同所述SOI衬底连接，所述第一衬底层为n型外延层，所述第一外延层上设置有多个p垂直槽；
第二外延层，所述第二外延层同所述第一外延层连接。


2.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述SOI衬底片包括：
衬底片，所述衬底片为普通P型衬底片；
隐埋氧化层，所述隐埋氧化层同所述衬底层连接，所述隐埋氧化层通过热氧化形成，采用二氧化硅材质；
顶部硅层，所述顶部硅层同所述隐埋氧化层连接，所述顶部硅层同所述第一外延层连接。


3.根据权利要求2所述的一种场效应管，其特征在于，所述垂直槽为圆形槽。


4.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述第二外延层上设置有深沟槽，所述深沟槽的两侧设置有二氧化硅夹层，所述二氧化硅夹层包括二氧化硅层、多晶硅层，所述二氧化硅层同所述多晶硅层连接，所述多晶硅层同另一个所述二氧化硅层连接；所述二氧化硅夹层位于深沟槽的两侧。


5.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述第二外延层内置有源区第二类型阱，所述源区第二类型阱内设置有第二类型缓冲区，所述第二类型缓冲区内设置有源区第一类型阱，所述源区第一类型阱同第一类型浓注入区相邻设置，所述第一类型浓注入区同第二类型浓注入区相邻设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：互升科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44