湖南烁科晶磊半导体科技有限公司专利技术

湖南烁科晶磊半导体科技有限公司共有9项专利

  • 本技术公开一种用于分子束外延设备的基片传输装置,包括:传输小车和磁耦合驱动组件,传输小车用于承载基片,磁耦合驱动组件包括相互匹配的主动磁组件和从动磁组件,从动磁组件沿着传输小车的移动方向设置在传输小车顶部,传输小车和从动磁组件均密封设置...
  • 本发明公开了一种加热丝缠绕工装及缠绕方法,工装包括:调节螺杆、第一固定盘、第二固定盘和缠绕柱;第一固定盘和第二固定盘分别通过可拆卸的方式固定在调节螺杆的两端,且第一固定盘与第二固定盘在调节螺杆上的间距可调节;第一固定盘和第二固定盘的周面...
  • 本发明公开一种用于分子束外延设备的传样系统及传样方法,系统包括:处理室、环形传输腔、连接组件、环形驱动组件和升降驱动组件;晶圆在处理室内进行工艺处理,多个处理室沿竖直方向均布在环形传输腔上方,连接组件用于连接处理室与环形传输腔;环形驱动...
  • 本实用新型公开了一种用于超高真空系统的低温旋转样品架,包括冷却液循环室、轴承、转动部件、驱动机构以及用于固定样品的夹持部件,所述转动部件上设有所述夹持部件,所述驱动机构与所述转动部件相连,所述冷却液循环室与所述转动部件通过所述轴承接触,...
  • 本发明公开了一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备,包括腔室,源炉,第一快门和第二快门;源炉的炉口朝向腔室内设置,第一快门和第二快门向腔室内延伸,且第一快门和第二快门至少部分露出于腔室外壁;通过在腔室外操作第一快门,可将第一快门调...
  • 本发明公开了一种三状态分子束外延用束源炉快门,在具备束流开启与束流关断两种状态的基础上,新增第三种束源炉保护状态,处于束源炉保护状态的快门可以有效阻挡冷屏内壁上吸附的材料碎片掉落入束源炉中,具有可以保护束源炉内源料不受材料碎片污染、优化...
  • 本发明公开了一种分子束外延源料冷却方法,包括步骤:分子束外延工艺结束后,坩埚托架带动坩埚缓慢下降移出高温区间,使坩埚中的源料自下而上逐渐凝固,直至坩埚中的源料全部凝固。本发明具有操作简便,可在普通热蒸发源的基础上实现大容量、大束流、高可...
  • 本发明公开了一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉,包括坩埚托架、安装法兰、设于安装法兰上侧的热屏蔽筒、设于安装法兰下侧的闸阀、设于闸阀下侧的外筒、以及用于带动坩埚托架在热屏蔽筒和外筒之间移动的升降驱动机构,所述热屏蔽筒内设有加热器,所述外...
  • 本发明公开了一种分子束外延源料原位预处理方法,包括步骤:S1、坩埚下降至外筒内,关闭闸阀,外筒充气至大气压后卸下外筒,取下坩埚,将源料装入坩埚并盖上坩埚盖,将坩埚放回至坩埚托架上,将外筒重新连接至闸阀,外筒抽气至合适真空度后,打开闸阀,...
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