一种非易失性数字电位器系统，由采用不同工艺在不同半导体基板上制成的至少一个易失性数字电位器单元（１）和一个非易失性存储单元（２）互连而成。所述非易失存储单元（２）通过接口总线（３）与微控制器（４）、易失性数字电位器单元（１）连接。由于本...

本发明涉及一种逻辑电平转换电路，其包括控制端接输入信号、第一端接地、第二端接电平输出的第二增强型高压晶体管，还包括作为负载器件的耗尽型高压晶体管、作为隔离器件的低压晶体管及作为辅助器件的第一增强型高压晶体管。本发明不需要使用高压ＰＭＯＳ...

本发明公开了一种开关电源及其启动电路，其中，启动电路用于对控制功率场效应管切换的ＰＷＭ控制芯片的供电，在启动模式下，通过较小容值的启动电路电容为所述ＰＷＭ控制芯片供电，保证了系统具有较小的启动时间；启动成功后，在正常工作模式下，将一个较...

一种开关电源的待命模式控制方法，其特征在于，包括步骤：　　　　对开关电源的反馈电路的输出电压Ｖｃｔ１进行采样，检测当电压Ｖｃｔ１从大于第三参考电压Ｖ３下降到小于第一参考电压Ｖ１时，停止输出用于控制开关管栅极的脉冲控制信号；　　　　检测当...

本发明涉及熔丝、抗熔丝和使用半导体存储器的存储器阵列的存储元件及其制备方法。本发明公开的一种多晶硅存储元件及其制备方法，包括：多晶硅ＰＮ结，在击穿前后它的状态都能够永久保存。其方法包括：１）在半导体衬底上沉积一层多晶硅；２）用掩模覆盖一...

一种具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，在电源Ｖｄｄ与误差放大器的输出端（Ｎ１）之间连接有可减小Ｎ１节点等效输出电容的传输函数为Ｚ↓［ｐｃ］的补偿网络（２０１）。实施本发明提供的具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，能够有效推...

本发明涉及一种集成过压降压器的与温度成正比（ＰＴＡＴ）电流产生电路，包括串联连接在电源Ｖｃｃ和地之间的第一共源共栅电流镜电路和第二共源共栅电流镜电路和一用于抑制碰撞电离效应的过压降压器。实施本发明的电流产生电路能有效减小加在共源共栅器件...