华中科技大学专利技术

华中科技大学共有34800项专利

  • 本技术属于机械臂末端执行器相关技术领域,其公开了一种柔性机械手爪、机械臂结构及机器人,包括主架、连接于主架相背的两侧的两个连接组件及三个手指组件,两个手指组件分别连接于两个连接组件,一个手指组件连接于主架;连接组件包括圆周变位舵机,圆周...
  • 本发明公开了一种地表与孔中相结合的岩洞储氢库群地质条件探测方法,包括在地表获取电磁和地质雷达数据,将两者映射至同一网格并通过Pearson相关性约束进行联合反演,获得第一代地质模型;随后在岩洞内部进行地质雷达探测及钻探取样,利用钻孔实测...
  • 本发明涉及有机荧光染料合成领域,公开了一种鞘氨醇修饰的荧光染料偶联物及合成、脂质体及其应用。该偶联物由荧光染料和鞘氨醇通过酰胺键简单偶联而成;荧光染料包括吲哚菁绿衍生物、花菁染料、近红外染料或FD染料;吲哚菁绿衍生物为ICG‑R‑COO...
  • 本发明公开了一种CO2调Q激光器,属于激光技术领域;调Q激光器的谐振腔内沿光轴方向依次设置有增益介质、输出镜和调Q器件,其中,输出镜靠近调Q器件的一面镀有增透膜,以此将谐振腔划分为包括调Q器件的低功率调Q支路与包括增益介质的高功率放大支...
  • 本发明公开了一种基于快速鲁棒编码器的神经调制识别对抗防御方法、系统及存储介质,属于信号自动调制分类领域。该方法包括:将输入信号输入至RE‑NMR模型,输出该信号的调制方式;RE‑NMR模型的构建包括:将鲁棒编码器RE前置于NMR模型形成...
  • 本发明涉及半导体器件领域,具体涉及一种PEALD原位氮化制备半导体存储器隧穿层的方法及器件,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上,采用等离子体增强原子层沉积工艺沉积SiO2薄膜;在SiO2薄膜上原位进行等离子体氮化处理,形成...
  • 本发明公开了线弹性固体时域瞬态响应的径向点插值有限元应用及方法,属于固体力学与工程数值仿真技术领域;将问题域离散成标准的有限单元网格,使用径向基函数构造单元内部位移矢量场的插值格式,得到节点对应形函数;在节点处构造新的节点自由度;在满足...
  • 本申请属于太赫兹偏振器件技术领域,具体公开了一种激光直写可重构的太赫兹偏振器件及其制备方法。该制备方法包括:采用磁控溅射工艺在基底的一面或相对两面溅射相变材料层;通过高速扫描纳秒激光脉冲诱导所述相变材料层中的相变材料部分区域从非晶态转变...
  • 本发明实施例提供一种基于围岩裂隙JRC的裂缝连通性建模方法及装置,该方法包括:基于钻孔成像获取的裂隙图像,建立裂隙定量分析模型,采用正弦曲线描述裂隙的几何形态;对所述裂隙定量分析模型拟合,提取表征裂隙几何形态的特征参数;基于特征参数计算...
  • 本发明属于紫外线固化胶相关技术领域,其公开了一种红外线固化型紫外固化胶的制备方法、固化胶及固化方法,其中制备方法包括:配制紫外固化胶体系,向所述紫外固化胶体系中均匀分散上转换发光材料制备获取能够在红外线照射下进行固化的红外线固化型紫外固...
  • 本发明属于能源调度与智能控制技术领域,公开了一种考虑约束修正与平均奖励强化学习的水风光调度方法,包括:S1构建水风光互补运行的数学模型并进行约束处理;S2构建适用于强化学习的水风光互补运行环境;S3构建适用于水风光互补运行的强化学习SA...
  • 本发明公开了支持随机IO合并的操作系统IO处理方法、操作系统及存储系统,属于计算机操作系统领域,包括:在用户态,为多个随机IO请求的相同的参数仅保留一份参数副本并记录于共享结构体A,将各随机IO请求的不同参数分别记录到共享结构体B中,得...
  • 本申请实施例提供的一种基于负荷预测的空调冷源系统运行控制方法,该方法包括获取融合冷水机组设备本体特性、运行工况以及周边环境综合影响的动态监测数据,并基于所述动态监测数据构建冷水机组系统负荷预测模型以及冷水机组变工况性能预测模型,其中,所...
  • 本发明属于材料结构优化领域,具体涉及基于动态响应驱动的等几何拓扑优化方法,包括如下步骤:(1)基于T样条与贝塞尔提取技术的薄壳中面几何表征模型建立;(2)基于基尔霍夫理论面向频响的等几何壳单元建立;(3)基于T样条的高阶面板法求解结构表...
  • 本发明公开了一种多机并联抽水蓄能电站模型产品、暂态过程控制及决策分析方法,属于抽水蓄能技术控制领域。该方法包括建立多机并联抽水蓄能电站模型,构建不同典型组合工况下最有利叠加和最不利叠加情况的目标函数,设计基于多目标模拟退火算法的多机并联...
  • 本发明涉及汽轮机组热力系统数据处理技术领域,并公开了一种基于设备特性方程的汽轮机组热力系统鲁棒数据协调方法及系统。该方法包括下列步骤:获取电厂汽轮机组热力系统稳态运行过程中的测量变量和未测变量;建立关于测量变量的鲁棒估计函数,同时根据系...
  • 本发明公开了一种基于二维七原子层范德华材料的忆阻器件,其特征在于,所述忆阻器自上而下依次为顶电极、活性金属层、功能层及底电极;所述功能层的材料为二维七原子层范德华材料;所述二维七原子层范德华材料的通式为MA2Z4,其中M选自Mo、W、V...
  • 本发明公开了一种线弹性固体自由振动的径向点插值有限元方法及应用,属于固体力学与工程数值仿真技术领域;将问题域离散为标准有限单元网格,基于径向基函数推导节点形函数;构造局部强化插值基函数完成局部数值近似;满足单位分解特性的前提下建立位移矢...
  • 本发明提出一种基于表面等离激元增强的横向PIN光电探测器,属于光电探测器技术领域,该探测器自下向上依次包括衬底、背部增反膜层、半导体器件层、等离激元阵列和增透膜层;半导体器件层的P+区和N+区对称分布于非掺杂本征层的两侧,形成横向PIN...
  • 本发明公开了一种阻尼参数自适应的黏滞惯质拉索阻尼器,包括索夹、第一比例杆、第一撑杆、第一质量块、第一阻尼器、上支架及下支架;所述第一比例杆沿其长度方向依次设置第一铰接孔、第二铰接孔、第三铰接孔和第四铰接孔;所述第一铰接孔与所述索夹铰接;...