本发明涉及一种引导用只读存储器的写保护逻辑实现方法，属于半导体存储器芯片的应用技术领域。本方法首先设置写保护数据寄存器和写保护状态寄存器，复位时将其各置一个初始值，写保护状态寄存器处于“写保护使能”状态，连续向数据寄存器写入数据，写保护...

本发明公开了一种引导程序存储装置，其与ＣＰＵ系统相连，且包含主引导程序存储器、备份引导程序存储器，该模块进一步包含一个自动控制单元、两个复位电路，其中至少一个为看门狗复位电路，由自动控制单元在维护节点对该模块的主引导程序存储器烧录不成功...

一种测试ＳＤＲＡＭ器件的方法，其特征在于，该方法包含如下步骤：　　　　ａ、将待测试ＳＤＲＡＭ的工作模式设置为Ｆｕｌｌ　Ｐａｇｅ方式；　　　　ｂ、在低速的测试信号下激活需要访问的待测试ＳＤＲＡＭ的地址线和控制线，将测试数据通过其数据线写入...

一种存储异常信息的方法，其将捕获的异常信息存储到存储器件中，其特征在于，包括如下步骤：　　　　Ａ、将存储器件初始化；　　　　Ｂ、将该存储器件分成至少两个存储块，每个存储块分成若干条记录，并设置记录最大重复次数；　　　　Ｃ、将所捕获的异常...

一种ＦＬＡＳＨ内部单元测试方法，包括下列步骤：　　　　１）整片擦除；　　　　２）将被测ＦＬＡＳＨ内部单元分成若干个单元块；　　　　３）指定一个０１…０１０１和１０…１０１０交错的测试数据块；　　　　４）在每一单元块的块首地址上随机增加一...

一种对ＦＬＡＳＨ内部单元进行测试的方法，在所述方法中，ＦＬＡＳＨ内部单元被均匀分为ｎ块，按地址升序依次为Ｂ↓［０］、Ｂ↓［１］、…、Ｂ↓［ｎ－１］，每一个块的大小为ｍ，其特征在于，所述方法包括如下步骤：　　　　１）整片擦除；　　　　２）...

一种多端口存储器的测试方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：　　　　（１）、依次测试各个端口的外围互连线，如果外围互连线有故障，则进行故障诊断；如果外围互连线没有发现故障，则进行下列步骤；　　　　（２）、通过多端口存储器的一端口对多端口...

一种ＥＥＰＲＯＭ在板编程方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　Ａ）将电路板上数个边界扫描器件的边界扫描单元串接成一边界扫描链；　　　　Ｂ）将边界扫描链中第一边界扫描单元的输出端与ＥＥＰＲＯＭ的串行时钟线相连接；将边界扫描链中第二边界扫...

本发明公开了一种使用动态存储器的高性能查表控制器的实现方法，该方法为：将所述动态存储器的各页面作为相互独立的非连续的存储空间，并且以页面为单位分配给所述表；结合表的镜像技术，使查表控制器配置／维护及查询所述表的表项时能够轮流访问所述页面...

本发明有关于存储器地址线的测试方法。其主要是用“走步１”或“走步０”方法选取存储器的地址单元，在地址单元中写入测试数据，所述测试数据与需要测试的地址线相对应的数据位为“０”，其余数据位为“１”；对所有地址线进行走步测试，读取存储器第一地...

本发明提供一种闪烁存储器数据存取的实现方法，其核心为：将闪烁存储器划分为预定大小的多个存储块；分别设置各存储块的可用状态标志；当闪烁存储器需要进行数据存取时，根据所述各存储块的可用状态标志对数据进行存取。本发明通过设置闪烁存储器各存储块...

本发明公开了一种先入先出存储器，其特征在于，空满标志产生逻辑进一步接收写地址产生逻辑生成的写地址和读地址产生逻辑生成的读地址；并将接收的写地址和读地址与已使用单元进行比较，在状态出现异常时生成状态调整信号，分别输出给写地址产生逻辑和读地...

本发明公开了边界扫描桥接器、加载系统和加载方法，用以解决目前加载速度与加载所占资源和加载稳定性无法兼得的问题。本发明的加载系统，包括：边界扫描总线；边界扫描测试总线控制器，其与所述边界扫描总线相连；待加载的闪存；边界扫描桥接器，其通过内...

本发明公开了一种ＲＡＭ失效的检测处理方法，应用于对ＣＰＵ／ＤＳＰ的ＲＡＭ失效的检测处理，包括：读取所述ＲＡＭ中的程序内容；将读取的程序内容与正确的程序内容进行比对，当两者不一致时，判断ＲＡＭ失效并进行数据修复；或者将读取的程序内容采用设...

本发明公开了一种５１单片机在系统升级方法，包括在单片机系统在５１单片机上设置ＪＴＡＧ接口；利用ＪＴＡＧ公用指令，来实现对与ＪＴＡＧ接口相连的单片机进行升级编程。本发明还公开了一种５１单片机系统，包括５１单片机，ＪＴＡＧ接口模块，其用来提...

本发明提出了一种寄存器访问装置，包括至少两个地址译码与读写控制单元，各个地址译码与读写控制单元串联连接以传递访问信号，各个地址译码与读写控制单元能够根据接收到的访问信号对待访问寄存器是否位于与其对应的寄存器组中进行判断，且还分别能够访问...

本发明公开了一种延长非易失存储器寿命的计数方法，该方法包括：Ａ．接收外部的计数信号，根据所接收的计数信号对循环计数队列进行移位操作；Ｂ．判断当前循环计数队列中的移位操作是否全部完成，若是，则执行步骤Ｃ；否则返回步骤Ａ；Ｃ．将循环计数队列...

本发明公开了一种非易失性高速存储单元以及使用该存储单元的存储器。该存储单元包括第一场效应管、第二场效应管和第三浮栅场效应管；第一场效应管的栅极与行选线连接，第一场效应管的源极和漏极两者中一个与列选线连接，另一个与第二场效应管的栅极连接并...

本发明公开了一种内存故障测试的方法，其是通过在被测试内存中选取至少三个位宽度与该内存数据总线的位宽度相同的内存地址单元，并对所选取的每个内存地址单元写入测试向量及读取相对应的测试读回值向量以及对该测试向量和测试读回值向量进行比较分析，来...

本发明提供了一种存储单元测试方法及其系统，所述测试方法包括选择存储单元测试类型；根据所选择的测试类型产生相应的测试激励信号并发送至待测模块；根据所述测试激励信号，对待测模块的存储单元索引表进行读写操作；生成相应的测试结果。本发明提供的存...