本发明是关于一种III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。包含有一基底；一位于基底上的氮化镓高阻值层；一位于氮化镓高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝阻障层；一位于氮化...

本发明是关于一种镓面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其栅极保护元件。在此镓面的氮化铝镓/氮化镓磊晶结构包含有一硅基底；一位于硅基底上的具碳掺杂的缓冲层；一位于缓冲层上的具碳掺杂的本质氮化镓层；一位于具碳掺杂的本质氮化镓层上的本质氮...

本发明是关于一种氮面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其栅极保护元件。在此氮面的氮化铝镓/氮化镓磊晶结构包含有一硅基底；一位于硅基底上的具碳掺杂的缓冲层；一位于缓冲层上的具碳掺杂的本质氮化镓层；一位于具碳掺杂的本质氮化镓层上的本质氮...

本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化...

本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化...

本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化...

本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化...

本发明是关于一种N‑face AlGaN/GaN磊晶结构及其主动组件与其制作方法。其结构包含：一基底；一位于硅基底上之具碳掺杂之缓冲层；一位于具碳掺杂之缓冲层上之具碳掺杂之GaN层；一位于本质GaN碳掺杂层上的本质Al(y)GaN缓冲层...

本发明是关于一种氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在元件设计上藉由氟离子结构使氮极性III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在氟离子结构下方处能呈现空乏状态，此时二维电子气位于氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处...

本发明是关于一种氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在元件设计上藉由氟离子结构使氮极性III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在氟离子结构下方处能呈现空乏状态，此时二维电子气位于氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处...

本发明是关于一种III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。包含有一基底；一位于基底上的氮化镓高阻值层；一位于氮化镓高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝阻障层；一位于氮化...

本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳参杂高阻值层；一位于氮化镓碳参杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化...