一种输出高幅值信号的单光子检测器，属量子保密通信技术领域，传统的单光子检测器的缺点是输出信号的雪崩信号的幅值太低（２０－３０ｍＶ），不利于输出信号的采集和处理，本实用新型的技术方案是在传统的单光子检测器中引入一个电容，并把该电容跨接在限...

本发明涉及保密通讯类，具体的讲是涉及一种反向电压门与探测门分离的双门控雪崩光电二极管单光子探测方法，该方法通过使用较宽的门偏压，使得门偏压前、后沿的微分信号和雪崩信号分离，即雪崩信号远离尖峰，因而在单光子探测时信号很容易被捕获，其优点是...

本发明涉及一种非制冷红外探测器隔热衬底制作方法，属于微机电系统领域。采用阳极氧化法制作多孔硅，然后在多孔硅上淀积一层过渡层氮化硅薄膜，制作成非制冷红外探测器隔热衬底，尔后的器件制作就在这一层氮化硅薄膜上进行。由于在多孔硅与红外材料之间插...

本发明涉及超快光学技术方面，其技术核心是对传统的ＳＰＩＤＥＲ装置进行了改进使其适用于更多的应用场合，具体的讲是涉及一种基于ＳＰＩＤＥＲ技术的超短光脉冲测量装置，该装置采用两块同样大小的等腰直角棱镜组成的色散可调脉冲色散器产生啁啾脉冲使得...

本发明涉及一种微波潮位传感器及其用途，属微波海洋深测技术领域，由天线１０，带通滤波器１１、环行器１２、同轴一波导转换器１３、压控振荡器１４、混频器１６、潮位信号处理单元１００、三角波信号发生器２０和直流稳压电源２２组成，有工作频率高，能...

本实用新型涉及传感器技术领域，确切地说是一种新型薄膜电阻型应变传感器，其中薄膜材料覆盖在衬底上，在薄膜的两端设有引出电极，衬底上设有传感器固定结构，电阻率随薄膜晶格间距变化而成斜率变化。本实用新型同现有技术相比，具有制备、结构和匹配测量...

本发明公开了一种气体传感器的加热装置，包括硅衬底和铝电极，所述硅衬底的背面通过一铝电极与ＰＴＣ热敏电阻的一端面电连接，铝电极与加热电源的正极相接；ＰＴＣ热敏电阻的另一端面通过另一铝电极与加热电源的负极电连接；硅衬底的正面经过电化学腐蚀制...

一种火焰检测装置包括燃烧器（２１）、点火检测针（２２）、导线（２３）、点火检测控制器（２４）和底座（２５），其特征在于所述点火检测针（２２）只有一根。

一种高效导热管，由母管１和子管２组成，母管１和子管２均为金属管，母管１套在子管２外，母管１两端封闭，母管１内封有低压空间１０和无毒液体１１，管口２０和２１分别从母管１的两端伸出，母管１水平放置时无毒液体１１浸没子管２，低压空间１０的压力...

本实用新型涉及一种小型空气湿度控制器，主要由可设定湿敏开关１９和电子控制器组成，前者的开合控制了后者内的继电器ｊ１４的动作，当空气湿度增大至前者内的尖头旋钮３尖头的指示值（设定值）时，前者闭合，继电器Ｊ１４随之动作，继电器Ｊ１４的常闭－...

本发明涉及一种遥控锁具以及该遥控锁具的控制方法，尤其是一种红外遥控锁及其控制方法，属电子科学技术领域。本发明所述的红外遥控锁由锁体、遥控钥匙、遥控键盘三部分组成，锁体接收到红外遥控钥匙或者红外遥控键盘发送的红外信号后，经光电转换后送单片...

一种多孔硅阳极氧化表面处理技术，属半导体材料，确切说，功能信息材料的制备技术领域，包括多孔硅的阳极氧化表面处理工序和干燥处理工序，前道工序：在腐蚀槽２内实施，把湿的、一个表面附有多孔硅６１的Ｐ型单晶硅片６悬置于腐蚀槽２内，向腐蚀槽２注入...

一种多孔硅的阴极还原表面处理技术，属半导体材料，确切说，功能信息材料的制造技术领域，包括多孔硅阴极还原表面处理工序和干燥处理工序，前道工序：在腐蚀槽２内实施，把湿的、一个表面附有多孔硅６１的Ｐ型单晶硅片６悬置于腐蚀槽２内，向腐蚀槽２内注...

一种ＺｎＯ塔状的周期性单晶纳米结构及其制备方法，属于光电子和半导体材料及其制备方法的技术领域。该纳米结构是由生长在硅片上的六方纳米单元自下而上组装而成的具有层次和周期性的ＺｎＯ塔状单晶纳米结构，所述的塔状单晶纳米结构的长度、底端直径和尖...

一种氧化铁（Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］）单晶纳米线的制备方法，属于光电子和半导体材料制备方法的技术领域。该方法以铁镍合金片作为反应物和衬底，以惰性气体Ａｒ作为保护气体，在大气压强和６００～１１００℃的条件下，加热铁镍合金片，在其上生长氧化铁...

一种树状分形结构的宏观ＺｎＯ单晶材料及其制备方法，属于半导体光电子材料与器件的技术领域。以商品的ＺｎＯ粉、石墨粉和铜粉做原料，以易得的Ｎ↓［２］为气源，在水平管式生长炉中采用热蒸发法在衬底上生长树状分形结构的宏观ＺｎＯ单晶材料，是依附在...

一种硫化镉量子线的制备方法，确切说，一种用模板法制备硫化镉量子线的方法，属于纳米材料制备的技术领域。以含有微孔阵列的氧化铝作模板，微孔的直径和孔深分别为８～２０ｎｍ和２～３μｍ，用直流电沉积技术在微孔阵列内制得尺寸可调的硫化镉量子线。该...

本发明涉及一种超长杆状ＺｎＯ单晶材料及其制备方法，具体涉及一种长度是厘米级的ＺｎＯ杆状结构的制备所用的热蒸发方法，属于半导体光电子材料与器件的制备技术领域。本发明提供的超长杆状ＺｎＯ单晶材料长度为０．５ｍｍ～１５ｍｍ，直径为８０ｎｍ～４...

本发明公开了一种哑铃状ＺｎＯ微米材料及其制备技术，属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明所提供的哑铃状ＺｎＯ微米材料，其特征是由醋酸锌和氨水在一定的温度下搅拌蒸发而成，它的大小数量级在微米级，整体形貌是哑铃状，顶部由一系列细棒聚集而...

本发明公开了一种棒状ＣｕＯ纳米材料及其制备技术，属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明所提供的棒状ＣｕＯ纳米材料，其特征是铜箔在空气中加热而成，它的整体形貌是棒状，横截面呈四边形或三角形。本发明的方法可以大量的生长该结构的棒状ＣｕＯ...