一种硅基微机械微波／射频开关芯片的制备方法，其特征在于，操作步骤：　　　　第一步　　硅片准备和第一次氧化　　　　选用高阻硅做衬底，衬底的厚度和电阻率分别为３５０微米和３０００欧姆／厘米，先采用标准工艺把硅衬底清洗并烘干，然后采用交替式热...

一种基于氧化多孔硅／多孔硅的片上ＬＣ无源低通滤波器及其制备方法，该滤波器含片上微电感、片上ＭＩＭ电容、片上共面波导传输线和复合衬底，复合衬底由氧化多孔硅薄膜、多孔硅层和低阻硅片组成，多孔硅层夹在氧化多孔硅薄膜和低阻硅片之间，由片上微电感...

本发明提供了一种基于ＳＯＩ衬底的共平面波导及其制作方法。所述共平面波导包括ＳＯＩ衬底，形成在ＳＯＩ衬底上的二氧化硅层，以及形成在二氧化硅层上且间隔排列的地线和信号线，其中，相邻地线和信号线之间的间隔带上开设有沿地线和信号线走向的腐蚀孔带...

本发明公开了一种辐射能量转换芯片的制作方法，包括如下步骤：（１）制作具有一定开口面积比和深度的ｐ－型宏多孔硅阵列；（２）对硅进行扩磷获得一层浅结；（３）去除一定厚度的背面硅；（４）在正反面分别淀积一层金属，金属层厚度在０．３微米至１微米...

一种含不对称双量子阱结构ＧａＭｎＮ铁磁半导体异质结材料及其制备，由Ｓｉ衬底、左势垒层、左量子阱、中间势垒层、右量子阱和右势垒层组成，后五层薄膜依次生长在Ｓｉ衬底上，构成左势垒层、中间势垒层和右势垒层的材质是Ａｌ↓［０．１３］Ｇａ↓［０．...

本发明提供一种新的喹啉锌类有机发光化合物及其制备方法。此外，本发明还提供了含有该新的喹啉锌类有机发光化合物的复合材料、白光有机电致发光器件及其制备方法。本发明的喹啉锌类有机发光化合物制备得到的白光有机电致发光器件具有结构简单、重复性好、...

本实用新型属集成电路器件制造技术领域，具体为一种金属线宽及金属间距渐变的平面螺旋电感。在不改变版图面积和内径大小的前提下，该电感的金属导体线宽ｗ↓［ｎ］从内到外依次增大，金属线间距ｓ↓［ｎ］从内到外随着ｗ↓［ｎ］的增大而增大。该电感的金...

一种等离子阳极化工艺和方法。它能够以较简单的设备，可靠的重复的大批量的在３００～６００℃温度条件下，对半导体晶片进行自身氧化。经退火处理后，氧化层和界面特性都能达到高温热氧化水平，却克服了高温热氧化固有的溅射效应，杂质再分布，鸟嘴效应等...

一种由聚酰亚胺薄膜电容式湿敏元件和铝、钛双金属薄膜电阻式温敏元件结合组成的温、湿双功能敏感薄膜元件。这是在衬底硅片表面上先生长一层二氧化硅，然后用薄膜工艺，在二氧化硅绝缘层上先后淀积钛、铝、聚酰亚胺、金等各种薄膜，并用掩模板使薄膜形成微...

本发明涉及一种ＭＯＳ型硅半导体三维磁矢敏感器及其制造方法，属于微电子学和半导体集成传感器领域。该敏感器有温度稳定性好、工作电压范围宽、输入阻抗高、灵敏度高等优点，且能与其他ＭＯＳ或双极型器件集成于同一芯片，制成带信号处理电路的高性能敏感...

一种ＭＥＭＳ电控动态增益均衡器芯片的制备方法，包括１４个工艺操作步骤：制备第一硅片和第二硅片；生长二氧化硅薄膜；淀积第一多晶硅层和第二多晶硅层；蚀去第二多晶硅层；去第一正胶；淀积第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜；淀积第三多晶硅层和第四多晶...

一种异质键合晶片的制备方法和应用，属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ＲＯＩＣ的硅晶片和制备有ＩＰ薄膜的ＧａＡｓ晶片，先按照０．２５μｍ　　ＵＬＳＩ中的铜互连的化学机械平坦化工艺，使所述的硅晶片表面光...

一种ＰＶＰ／ＣｄＳ量子点修饰电极（１）及其制备方法。该电极由已有的玻碳电极（１０）及其玻碳电极的表面（２）和在玻碳电极的表面（２）上依次修饰的ＰＶＰ／ＣｄＳ量子点复合材料膜（３）和Ｎａｆｉｏｎ膜（４）构成。该电极的制备是先以聚乙烯吡咯烷...

一种量子阱红外探测器（ＱＷＩＰ）焦平面（ＦＰＡ）的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和ＧａＡｓ晶片开始，硅晶片和ＧａＡｓ晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基...

一种多孔硅／羟基磷酸钙复合衬底的制备方法，属生物、材料与微电子多学科交叉的技术领域。该方法包括羟基磷酸钙凝胶的制备，将羟基磷酸钙凝胶涂布在多孔硅片上和经高温处理三个步骤，制得多孔硅／羟基磷酸钙复合衬底。该方法有制备工艺简单，易于实施，成...

本发明涉及一种高出光效率结构ＬＥＤ倒装芯片的制作方法，属于半导体发光二极光ＬＥＤ材料和器件工艺技术领域。通过在蓝宝石衬底上利用微粒子的自组装排列和激光照射方法制备高分子材料微米或亚微米级微凸透镜阵列层，并通过使用ＩＣＰ（耦合离子刻蚀）或...

本发明公开了一种ＣｕＩｎＳｅ↓［２］太阳能电池及其制备方法，该电池依次由下电极、Ｐ型ＣｕＩｎＳｅ↓［２］吸收层、过渡层ＣｄＳ、Ｎ型ＺｎＯ层和上电极组成，其制备方法主要包括采用低频振动垂直布里奇曼法或低频振动坩埚下降法制备Ｐ型ＣｕＩｎＳｅ...

本发明公开了一种ＣｕＩｎＳｅ↓［２］（ＣＩＳ）化合物半导体层制作方法：将一定量的高纯铜、铟和硒颗粒充分混匀；装入石英坩埚，并放入石英气氛炉中，通入Ａｒ气；升温至金属颗粒熔化后退火；冷却至室温，制得铜铟硒晶锭；再放入石英气氛炉二次熔化、结...

一种ＳＢＴ－ＢＳＴ异质介电材料及其合成方法和应用。该材料以Ｓｉ片作衬底，由多层衬底电极和沉积在其上的多层膜组成，多层衬底电极由Ｓｉ片和依次沉积在Ｓｉ片的表面上的ＳｉＯ↓［２］、Ｔｉ和Ｐｔ薄膜组成，多层膜由Ｎ个周期的ＳＢＴ和ＢＳＴ的薄膜交...

本发明涉及一种高效叠层太阳能电池及其制备方法，可以极大提高对太阳能的利用效率和太阳能电池的光电转换效率，属于太阳能电池及其制备技术领域。由顶层太阳能电池和底层太阳能电池的透明电极用密封胶黏结而成，或者顶层和底层共用同一块玻璃基板，从顶层...